156-043 Westinghouse
1561-0403 Westinghouse
mit Basis-Emitter-Durchbruch
2N3054 Sescosem
MESA-Transistor
2N3055-Varianten
Elektronska Industrija, Greaves, ITT, Motorola,
RCA, Siemens, Solitron, ST
Microelectronics
Entwicklung der Typen und deren Eigenschaften bis hin zur Fälschung
2N3375 RCA
Hochfrequenz-Overlay-Transistor
2N3773 RCA
mit Basis-Emitter-Durchbruch und
Ausfallvideo
2N389 Texas Instruments
MESA-Transistor mit
Basis-Emitter-Durchbruch
2SC2922 Sanken
Multi-Emitter-Transistor
2SD70 NEC
mit Basis-Emitter-Durchbruch
3DD15D Inchange
LowCost-Transistor
BD911 STMicroelectronics
Perforated Emitter Transistor
BDY92
Hochfrequenztransistor
BUX22
verschiedene Generationen des Hochspannung-/Hochstrom-Schalttransistors (300V/50A)
inklusive einer Fälschung
MESA-Struktur mit perforated Emitter, Basis-Emitter-Durchbruch an Störstellen
und Infrarot-Aufnahmen
BUX42 ST Microelectronics
mit Basis-Emitter-Durchbruch
BUX66 Motorola (Fälschung)
mit Basis-Emitter-Durchbruch
ENI-1B Motorola
MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch
D44H11 / D44H8 / KSE44H11
von
STMicroelectronics und ON Semiconductor
KD501 Tesla
KD605 Tesla
KD616 Tesla
KD617 Tesla
komplementäre MESA-Transistoren mit Basis-Emitter-Durchbruch
KT808AM (neues Design, 1986 und 1984)
KT808AM (altes Design, 1982)
KT808AT (altes Design, 1978)
KT808BM (altes Design, 1983)
MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch
an Störstellen
KU605 Tesla
KU607
Tesla
KU608
Tesla
MESA-Transistor (Schalttransistor)
mit Basis-Emitter-Durchbruch
MJL21193 ON Semiconductor
MESA-Transistor mit perforated Emitter
MJ802 Motorola
MESA-Transistor mit zerstörten
Strukturen
SL113 HFO
früher
Hochfrequenz-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch
TIP2955
von STMicroelectronics (perforated Emitter), ON Semiconductor und Texas
Instruments (klassisches
Design)
TIP3055
von STMicroelectronics (perforated Emitter) und
Texas Instruments (klassisches
Design)