Richi´s Lab

JH Semiconductor 3DD15D

3DD15D

Der hier vorliegende 3DD15D-Leistungstransistor trägt als Logo einen Kreis mit den Buchstaben JH. Der Hersteller könnte die chinesische Firma JH Semiconductor sein. Man findet allerdings nur wenig Informationen über das Angebot dieser Firma.

Nach dem Datenblatt von Inchange Semiconductor beträgt die maximale Sperrspannung 200V, der maximale Strom liegt bei 5A. Eine Grenzfrequenz weist das Datenblatt nicht aus, nur eine Abfallzeit von 1µs. Diese Zeit gilt für einen initialen Kollektorstrom von 3A und eine Änderung des Basisstroms von 0,2A auf -0,3A.

 

3DD15D Grundplatte

Die Grundplatte des Gehäuses ist sehr viel dünner ausgeführt als bei den meisten anderen TO3-Gehäusen. Dazu passend gibt das Datenblatt eine maximale Verlustleistung von nur 50W und einen Wärmewiderstand von 2°C/W an.

 

3DD15D Die

Das Die besitzt keinen Heatspreader, der die Wärmeableitung verbessern könnte. Es wurde außerdem nicht auf die Grundplatte gelötet, sondern nur geklebt. Die gleiche Aufbautechnik findet sich im gefälschte ST 2N3055. Das Die ist mit einer weißlichen Schutzschicht überzogen.

 

3DD15D Die

Die Bonddrähte beschreiben einen überraschend hohen Bogen. Die Kontaktierung auf dem Die erscheint recht grobschlächtig.

 

3DD15D Die

Auf der Vergussmasse haften Metallteile, die beim Öffnen des Gehäuses entstanden sind. Obwohl die Vergussmasse eine größere Fläche des Gehäuses benetzt hat, ist das Die nicht komplett damit überzogen.

 

3DD15D Die

Die Vergussmasse lässt sich einigermaßen gut entfernen. Auf den Metallflächen von Basis und Emitter sind Bondbereiche freigehalten. Der Bonddraht, der den Emitter kontaktiert, wurde sehr grenzwertig platziert.

 

3DD15D Die Detail

Im Detail betrachtet zeigt sich, dass die Metalllage ebenfalls nicht besonders genau platziert wurde.

 

3DD15D Die Detail

3DD15D Die Detail

Der Aufbau des Transistors erscheint untypisch vielteilig. Der Emitter stellt sich bräunlich dar und ist hier blau markiert. Innerhalb der Emitter-Metallisierung sind die Umrisse der Aussparungen zu erkennen, über die die Metalllage die Emitterfläche kontaktiert. Die Basis-Metalllage zeigt ebenfalls die Umrisse einer Durchkontaktierung, die eine grünliche, hier rot markierte, Fläche anbindet. Zwischen der Emitter- und der Basisfläche befinden sich eine weitere bräunliche und eine weitere grünliche Fläche, die sich nicht erklären lassen. Treibt man die Basis-Emitter-Strecke in den Durchbruch, so zeigt sich, dass die Umrandung der Emitterfläche die Basis-Emitter-Grenze darstellt. Fraglich bleibt dennoch welchen Zweck die anderen beiden Bereiche erfüllen.

Ein mehrteiliger Basis-Emitter-Zwischenraum findet sich außerdem im gefälschten BUX22, im gefälschten BUX66 und im ENI-1B.

 

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