Der BUX66 ist ein leistungsstarker PNP-Transistor im TO-66-Gehäuse. Es konnten ursprünglich vier Sortierungen mit unterschiedlichen Sperrspannungen bezogen werden: BUX66 150V, BUX66A 250V, BUX66B 300V, BUX66C 350V. Die große Bandbreite lässt vermuten, dass zumindest in den Anfängen der Fertigung hohe Streuungen auftraten. Der zulässige Kollektorstrom liegt bei 2A dauerhaft und 5A kurzzeitig. Die Grenzfrequenz beträgt 30MHz.
Die Beschriftung des vorliegenden Modells ist sehr sauber und weist Motorola als Hersteller aus. Die Zahlen 0531 stellen mit ziemlicher Sicherheit den Datecode dar. 2005 war die Halbleitersparte von Motorola allerdings bereits unter dem Namen ON Semiconductor abgespalten. Außerdem führt der Motorola Semiconductor Master Selection Guide von 1994 schon keinen BUX66 mehr. Das alles spricht dafür, dass es sich hier um eine Fälschung handelt.
Der BUX66 enthält einen großen Heatspreader. Das Die ist mit einem silikonartigen Verguss geschützt. Die Menge des Vergussmaterials variiert nicht unerheblich von Transistor zu Transistor.
Diese weiße Vergussmasse findet sich bei den hier analysierten Transistoren lediglich in der Fälschung des BUX22 und im 3DD15D der chinesischen Firma JH Semiconductor. Auch das spricht eher für eine Fälschung.
Das Vergussmaterial lässt sich leider nicht ganz ohne Schäden auf der Metalllage entfernen.
Die Abmessungen des Dies betragen 3,6mm x 3,0mm.
Es handelt sich hier um einen MESA-Transistor. Der geätzte Graben am Rand des Dies unterbricht die Basis-Kollektor-Sperrschicht und sorgt so dafür, dass sich an den Außenkanten der Sperrschicht saubere Grenzflächen einstellen. Die geschnittenen Kanten des Dies beinhalten sehr viel mehr Störstellen und würden die Durchbruchspannung des Transistors entsprechen reduzieren.
Zwischen Basis und Emitter befindet sich mehr als nur der einfache pn-Übergang. Ein derartiger Aufbau war bisher im gefälschten BUX22, im Inchange 3DD15D und im ENI-1B zu finden.
Die Basis-Emitter-Grenzfläche bricht bei 13,5V durch und kann so sicher identifiziert werden. Der linke, braune Bereich ist der p-dotierte Emitter. Der grüne Bereich muss entsprechend die n-dotierte Basisfläche sein. Um den Basiskontakt ist noch ein dünner Streifen des grünen, n-dotierten Materials zu sehen, was plausibel ist. Fraglich ist der Sinn des p-dotierten Streifens, der sich anscheinend über der grünen Zuleitung zum aktiven Bereich befindet. Höchstwahrscheinlich verhält sich dieser Aufbau ähnlich wie ein Pinch-Widerstand und erhöht so den Basiswiderstand. Man kann nur spekulieren, dass der zusätzliche Widerstand für eine gleichmäßigere Belastung der Transistorfläche sorgt.
Bei 20mA zeigen sich gleichmäßig verteilte Leuchteffekte an den Stellen, wo der Durchbruch der Sperrschicht vorrangig erfolgt.
Das Die scheint recht homogen aufgebaut zu sein, da sich die einzelnen Durchbruchgebiete sehr gleichmäßig über die Sperrschicht verteilen.
Bei 0,8A ergibt sich ein durchgehender Leuchteffekt.
Trägt man die Metalllage ab, so wird der Aufbau des Transistors noch besser ersichtlich.
Die unregelmäßigen Bereiche sind die Flächen, in denen die Metalllage das Silizium kontaktiert hat. Der Emitterkontakt ist schmaler ausgeführt als die Metalllage, die das Emitterpotential verteilt. Der relativ breite Streife zwischen dem Kontakt und der pn-Grenzfläche stellt einen gewissen Emitterwiderstand dar, der für eine gleichmäßige Stromverteilung sorgt.
Deutlich zu erkennen ist der zusätzliche hellgrüne, p-dotierte Streifen auf der türkisen Basisfläche.
