Der D44H11 ist ein Standard-NPN-Leistungstransistor von STMicroelectronics.
Der D44H11 sperrt bis zu 80V und leitet bis zu 10A dauerhaft. Der Spitzenstrom darf 20A betragen.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 2,69mm. Die Oberfläche hat durch erhöhte Temperaturen beim Freilegen etwas gelitten, so dass im unteren Bereich sogar schon zwei Löcher in der Metalllage entstanden sind.
Es handelt sich um eine diagonale aber ansonsten wenig überraschende Transistorstruktur.
Die Basis-Emitter-Grenzfläche ist gut zu erkennen.
In der unteren linken Ecke wurde die Zahlenfolge 553 abgebildet. Es könnte sich dabei um eine interne Typbezeichnung handeln.
Neben dem D44H11 ist im selben Datenblatt auch der D44H8 aufgeführt. Der einzige Unterschied zwischen den beiden Modellen ist die geringere Sperrspannung von 60V.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 2,64mm. Der minimale Unterschied zum D44H11 lässt durch Toleranzen beim Vereinzeln der Dies erklären. Es zeigt sich, dass die beiden Varianten optisch absolut gleich sind. Die abweichenden Farben können sich durch unterschiedliche Belichtungen ergeben und weisen nicht unbedingt auf unterschiedliche Materialien hin.
Es wäre denkbar, dass nach der Produktion eine Sortierung erfolgte und die Transistoren abhängig von ihrer Qualität einer Spannungsfestigkeitsklasse zugeordnet wurden. Bei aktuellen, relativ günstigen Bauteilen ist es allerdings wahrscheinlicher, dass die 60V-Typen schlicht nicht mit 80V getestet wurden.
ON Semiconductor vertreibt mit dem KSE44H11 einen dem D44H11 sehr ähnlichen Transistor. Das Datenblatt führt die gleichen elektrischen Eigenschaften. Beim KSE44H11 wird zusätzlich die Grenzfrequenz mit 50MHz angegeben.
Ein Logo im Datenblatt zeigt, dass der Transistor ursprünglich von Fairchild entwickelt wurde.
Das Die ist mit einer Kantenlänge von 2,45mm etwas kleiner als das Die des D44H11. In den unteren Ecken sind die Zeichenfolgen HPP und 12B abgebildet.
Auch der KSE44H11 besitzt eine recht klassische Kontaktierungsstruktur. Das Muster wurde allerdings nicht auf eine maximale Verflechtung ausgelegt. Für die Bondverbindungen sind relativ große Fläche vorgehalten. Der Zweck der zwei runden Durchbrüche erschließt sich nicht.
An der rechten Kante sind acht Kratzer zu erkennen, die an Kontaktstellen von Testnadeln erinnern. Warum der Basisanschluss mit acht Testnadeln kontaktiert werden sollte bleibt fraglich.
Im Gegensatz zum D44H11 und vielen anderen Transistoren ist hier auf den ersten Blick keine pn-Grenzfläche zu erkennen. Wenn man die Basis-Emitter-Strecke im Durchbruch betreibt, so zeigt sich auch keine Leuchterscheinung. Eine mögliche Erklärung liefert die Oberflächenstruktur der Emitter-Elektrode (hier fingerförmig von links kommend). Auf der Metallfläche finden sich im Detail zwei Abstufungen. Die innere Stufe dürfte den Bereich abgrenzen der die darunter liegende Emitter-Dotierung kontaktiert. Die zweite Kante könnte durch den Übergang vom Emitter- zum Basisbereich verursacht worden sein. Warum die pn-Grenzfläche nicht in der freien Fläche zwischen den Elektroden platziert wurde bleibt unklar.
