Richi´s Lab

KT808AM (neues Design)

KT808

Der KT808 (КT808) ist ein Leistungstransistor, der als KT808A in einem runden Gehäuse und als KT808AM in einem TO3-Gehäuse vertrieben wurde. Der KT808AM ist etwas leistungsstärker als der KT808A. Er bietet eine Sperrspannung von 130V, leitet bis zu 10A und kann 60W Verlustleistung abführen. Die maximal zulässige Kollektor-Basis-Spannung beträgt 250V. Die Grenzfrequenz geben ältere Datenblätter mit 2MHz an. In neueren Dokumenten werden bis zu 8MHz spezifiziert. Die höhere Grenzfrequenz ergab sich höchstwahrscheinlich mit der Modernisierung der Fertigungsprozesse.

Neben dem KT808AM waren auch schlechtere Sortierungen verfügbar. Der KT808БM (KT808BM) sperrt maximal 100V, der KT808BM (KT808VM) sperrt maximal 80V und der KT808ГM (KT808GM) sperrt maximal 70V.

Der KT808 wurde von mehreren Herstellern vertrieben, unter anderem von den russischen Firmen Iskra und Elektropribor. Iskra bietet heute noch die militärische Variante 2T808A an. Das vorliegende Bauteil stammt aus dem Jahr 1986.

 

KT808 Aufbau

Das Gehäuse enthält einen großen Heatspreader, auf dem das Die mit sehr viel Lot befestigt ist.

Es handelt sich hier um die modernere Variante des KT808. Das ältere Design findet sich zum Beispiel im KT808AM von 1982.

 

KT808 Aufbau

Das Die wird von einem Verguss geschützt. Die Menge der Vergussmasse wurde exakt so gewählt, dass sie nur das Die bedeckt.

 

KT808 Die Verguss

Die durch das Öffnen verursachte Verschmutzung lässt gut erkennen, wie hoch der Verguss aufbaut.

 

KT808 Die

Die Kantenlänge des Dies beträgt 4,3mm. Das Emitter-Bondpad passt sich zwischen den Strukturen der Metalllage ein. An den Punkten, wo die höchsten Stromdichten auftreten bietet die Metallisierung breitere Wege.

 

KT808 Die MESA

Der KT808 ist ein MESA-Transistor. Am Rand des Dies ist der Graben deutlich zu erkennen, der für einen sauberen Abschluss der Basis-Kollektor-Sperrschicht sorgt.

Die Außenkante des Dies besitzt eine Stufe. Entweder wurde das Die zweistufig geschnitten oder erst geschnitten und dann aus dem Wafer herausgebrochen.

 

KT808 Die Detail

Beim Emitter-Bondpad findet sich ein kleiner Kratzer, der von einem Testkontakt verursacht sein könnte und bis in den aktiven Bereich reicht. Der Kratzer zeigt deutlich, dass das Die trotz des Vergusses zusätzlich mit einer Schutzschicht überzogen ist. Der optischen Erscheinung nach könnte es sich um Polyimid handeln.

Trotz der gelblichen Schutzschicht kann man die Basis-Emitter-Grenzfläche einigermaßen erkennen.

 

KT808 Die Detail

Die Oberfläche des Dies ist nicht besonders sauber. Innerhalb des Vergusses findet sich auch ein relativ großer Metallpartikel.

 

KT808 Die Breakdown 0,1A

Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei -6,5V. Bei einem Strom von 0,1A leuchtet die Grenzfläche noch nicht gleichmäßig auf. Die oberflächlichen Partikel scheinen den Effekt aber nicht zu beeinflussen.

 

KT808 Die Breakdown 1A

Auch bei einem Strom von 1A leuchtet die Grenzfläche noch nicht ganz gleichmäßig auf.

 

 

KT808

Dieser KT808AM wurde 1984 gefertigt und ist damit etwas älter als das obige Modell.

 

KT808 Aufbau

KT808 Aufbau

Der Heatspreader ist hier noch glatt ausgeführt. Ohne Rillen kann überflüssiges Lot schlechter abfließen, was zu einer höheren Schichtdicke führen kann, die die Ableitung der Verlustleistung etwas verschlechtert.

 

KT808 Bond

Während beim neueren KT808 die Bonddrähte die Anschlusspins von oben kontaktieren, erfolgte hier eine seitliche Anbindung.

 

KT808 Die

Der Aufbau des Transistors ist grundsätzlich nicht anders als beim neueren KT808AM. Die gelbliche Schutzschicht fehlt hier allerdings.

Die Bonddrähte sind sehr stark mit der Metalllage verschweißt.

 

KT808 Die MESA

Auch hier sind der MESA-Graben und die Grenzfläche zwischen Basis und Emitter gut zu erkennen.

 

KT808 Die Verschmutzungen

Das Die weist umfangreiche Verschmutzungen auf. Neben oberflächlichem Schmutz sind auch Unregelmäßigkeiten in der Basis-Emitter-Sperrschicht zu erkennen.

 

KT808 Breakdown

Bei -7V setzt der Lawinendurchbruch der Basis-Emitter-Strecke ein und es zeigt sich das bekannte Leuchten.

 

KT808 Breakdown 0,1A

Der Durchbruch zeigt sich bei 0,1A noch etwas weniger gleichmäßig als beim oberen KT808AM. Das lässt vermuten, dass die Strukturen noch etwas weniger homogen aufgebaut sind.

 

KT808 Breakdown 0,1A Detail

Im Detail lassen sich die einzelnen Durchbruchbereiche gut erkennen.

 

KT808 Breakdown 1A

Bei einem Strom von 1A erstreckt sich der Leuchteffekt immer noch nicht über die komplette Sperrschicht.

 

KT808 Breakdown 2A

Selbst ein Strom von 2A reicht nicht um die komplette Sperrschicht zum Leuchten anzuregen.

 

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