Der KT808БM (KT808BM) ist eine schlechtere Sortierung des KT808AM. Die Sperrspannung beträgt statt 130V nur 100V.
Es handelt sich um das alte Design des KT808, wie es auch in älteren KT808AM zu finden ist.
Oberflächlich ist kein Qualitätsunterschied zur A-Variante zu erkennen. Unterschiedliche elektrische Daten ergeben sich meist durch Verunreinigungen oder unterschiedliche Konzentrationen der Dotierungsatome.
Das Die zeigt den bekannten Aufbau des alten KT808-Designs.
Neben der leichten Verschmutzung, die sich beim Öffnen des Gehäuses ergeben hat, finden sich auch unter der Schutzschicht des Dies einige Verunreinigungen und ein erheblicher Kratzer. Die Sperrschicht weist ebenfalls Störstellen auf. Im KT808AM zeigte sich ein ähnliches Bild. Das scheint die damals typische Prozessqualität gewesen zu sein.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Sperrschicht erfolgt bei -7,5V und zeigt den bekannten Leuchteffekt (oben 20mA, unten 1A). An einer Stelle ist eine markante Unregelmäßigkeit in der Sperrschicht zu erkennen.
Ungefähr in der Mitte des Dies besitzt die Leuchterscheinung eine Ausbuchtung, die sehr früh sichtbar wird (oben 20mA, unten 1A).
Im Detail betrachtet findet sich an dieser Stelle direkt neben der Sperrschicht ein Artefakt mit einem Durchmesser von ungefähr 15µm. Die Grenze zwischen Basis- und Emitterbereich ist noch deutlich zu erkennen. Die Leuchterscheinung zeigt allerdings, dass sich die Sperrschicht um das Artefakt herum ausbildet. Durch die Geometrie ergeben sich lokal höhere Feldstärken, die dazu führen, dass der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke an dieser Stelle bevorzugt einsetzt.
Hier ist ein weiterer KT808BM zu sehen, der ebenfalls 1983 gefertigt wurde. Während die Grundplatte des obigen KT808BM eine Dicke von 1,4mm aufweist, ist die Grundplatte dieses KT808BM mit 2,5mm fast doppelt so dick.
Der Aufbau unterscheidet sich grundsätzlich nicht vom obigen KT808BM, die Verlegung der Anschlussdrähte ist allerdings sauberer ausgeführt.
Im Vergleich zu den anderen KT808 ist das Die dieses Transistors mit auffällig viel Lot auf dem Heatspreader befestigt. Die Oberfläche des Lots ist rissig.
Neben der Kontaktierung der Basiselektrode ist deutlich erkennbar, dass sich die Oberfläche des Dies verändert hat. Höchstwahrscheinlich war der Lötprozess die Ursache dafür.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Sperrschicht erfolgt bei -8V. Die deutliche Unregelmäßigkeit der Leuchterscheinung fällt sofort auf. Die Bereiche oberhalb der Basiskontakte leiten den Großteil des Stroms, was sich auch bei höheren Strömen nicht ändert (oben 0,5A, unten 1A).
