Richi´s Lab

SGS ATES IBM458

IBM458

Das Logo auf diesem Leistungstransistor zeigt, dass er von SGS ATES gefertigt wurde. Zu der Bezeichnung IBM458 finden sich allerdings keine Informationen. Man kann davon ausgehen, dass es sich um einen Transistor handelt, der in einem IBM-System eingesetzt wurde. IBM hat sich wie Hewlett-Packard eigene Bezeichnungen auf ihre Bauteile drucken lassen.

 

IBM458 Aufbau

IBM458 Aufbau

Der Transistor befindet sich auf einem runden Element, das auf einen großen Heatspreader aufgelötet wurde. Zur Kontaktierung des Emitters hat man zwei Bonddrähte verwendet und konnte so für Basis und Emitter den gleichen Drahtdurchmesser einsetzen.

 

IBM458 Verguss

Das Die wird von einem Verguss geschützt. Die schwarze Farbe des Vergussmaterials ist eher ungewöhnlich.

 

IBM458 Die

Die Vergussmasse lässt sich nur schlecht entfernen, es gelingt aber letztlich das Die ausreichend sauber freizulegen.

 

IBM458 Die

Die Kantenlänge des Dies beträgt 4,1mm. In der Bondfläche des Emitters kann man erkennen, dass einer von drei Bondvorgängen nicht erfolgreich war. Ein Grund dürfte gewesen sein, dass dieser Kontakt Großteils außerhalb des Bondbereichs platziert wurde.

Die Emitterfläche befindet sich wie üblich innerhalb der Basisfläche, wobei beide Flächen ineinandergreifen. Ungewöhnlich ist allerdings der zusätzliche Rahmen, der mit dem Basispotential am zugehörigen Bondpad verbunden ist und um den Umfang des Transistors aber isoliert vom aktiven Basisbereich geführt wird. Es könnte sein, dass dies eine Potentialsteuerung zum Rand hin darstellt. Vielleicht bestand die Gefahr, dass das lokale Basispotential durch die Stromverteilung derart inhomogen wird, dass in besonders belastenden Arbeitspunkten der Transistor durchbricht.

 

IBM458 Die Detail

In der Basis-Bondfläche befindet sich ein runder, dunkler Fleck, für den sich keine Erklärung finden lässt.

 

IBM458 Die Detail

Die Basis-Emitter-Grenzfläche ist deutlich zu erkennen. Die zusätzlichen Übergänge direkt neben den Metallflächen sind höchstwahrscheinlich die Öffnungen, durch die die Metalllage den Halbleiter kontaktiert.

 

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