Der 2SD70 ist ein von NEC entwickelter Leistungstransistor. Auf diesem Modell fehlt die Herstellerbezeichnung, der spezielle Aufbau lässt aber vermuten, dass es sich wirklich um ein Teil von NEC handelt.
Über den 2SD70 finden sich nur sehr wenige Informationen. Er bietet anscheinend eine Sperrspannung von 25V und erlaubt einen maximalen Kollektorstrom von 2A. Das TO-66 Gehäuse kann bis zu 15W ableiten.
Der Aufbau ist ungewöhnlich. Der Transistor selbst befindet sich auf einem Plättchen, das in das Gehäuse gelötet wurde. Ein Winkel erleichterte vermutlich die Montage.
An Basis- und Emitterpin sind Winkel angeschweißt. Die Winkel bieten den Bonddrähten größere Kontaktflächen als die Pins.
Der eigentliche Transistor hat eine Kantenlänge von 1,2mm und besitzt einen klassischen Aufbau, bei dem sich die Emitterfläche mittig in einer Basisfläche befindet. Die Abdrücke auf der Metalllage verraten, dass der Transistor vor dem Bondvorgang vermessen wurde. Die Basismetallisierung besitzt in zwei Ecken eine größere Kontaktfläche, so dass das Die auch um 180° gedreht in das Gehäuse eingebaut werden kann. Für den höheren Strom über den Emitter kamen zwei Bonddrähte zum Einsatz.
Der Aufbau bietet auch im Detail keine Überraschungen. Unterhalb der Emitter-Metalllage sind die Kanten der Ausschnitte zu erkennen, über die der grünlich erscheinende Emitterbereich elektrisch kontaktiert wird. Zwischen Basis- und Emitterelektrode zeichnet sich die Sperrschicht ab.
In der oberen linken Ecke des Transistors findet sich eine Unregelmäßigkeit. Es scheint, dass sich das Material der Metalllage ein Stück weit in Richtung der Sperrschicht ausgebreitet hat oder während der Herstellung nicht sauber entfernt wurde.
Bei -7,5V erfolgt der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke mit dem bekannten Leuchteffekt (hier bei 10mA).
In diesem Bild fließen 100mA. Die Unregelmäßigkeit in der oberen linken Ecke scheint keinen Einfluss auf die Stromverteilung zu haben.
200mA
500mA
