Der TIP2955 ist der Komplementärtyp zum TIP3055, also ein PNP-Leistungstransistor. Der TIP2955 und der TIP3055 teilen sich ein Datenblatt und damit zumindest auf dem Papier alle Spezifikationen.
Auch dieser TIP2955 von ST Microelectronics wurde über Mouser bezogen, und sollte entsprechend ein Originalteil sein.
Die Abmessungen des Dies betragen, ähnlich wie beim ST Microelectronics TIP3055, 2,42mm x 2,15mm. Der minimale Unterschied könnte durch die Messungenauigkeit bedingt sein.
Der Bonddraht des Basispotentials wurde auf Grund seiner geringeren Strombelastung im Vergleich zum Emitter-Bonddraht dünner ausgeführt.
Die Metalllage hat die gleiche ineinandergreifende Form wie die Metalllage des ST Microelectronics TIP3055.
Im Detail zeigt sich dann doch noch ein Unterschied zum ST Microelectronics TIP3055. Die runden Ausschnitte des perforated Emitters sind einfacher strukturiert. Es fehlt der äußere und der innere Ring. Innerhalb der Durchkontaktierung zeichnet sich gerade noch ein zusätzlicher Kreis ab, der sich aber nicht zuordnen lässt. Anscheinend erlaubt der PNP-Aufbau eine andere Architektur der Durchbrüche.
ON Semiconductor fertigt ebenfalls den TIP2955.
Auch dieses Teil wurde über Mouser bezogen, und sollte entsprechend ein Originalteil sein.
Während der TIP2955 von ST Microelectronics einen Transistor mit einem perforated Emitter enthält, arbeitet der TIP2955 von ON Semiconductor mit einem klassischen Design.
Das Die hat eine Kantenlänge von 2,53mm und ist damit signifikant größer als das Die des TIP2955 von ST Microelectronics. Die größere Fläche war vermutlich notwendig, da das klassische Design üblicherweise weniger leistungsfähig ist als das Design mit einem perforated Emitter.
Seitlich betrachtet zeigt sich, dass das Die eine MESA-Struktur besitzt, wie sie zum Beispiel beim Tesla KD501 beschrieben ist.
Neben dem TIP3055 fertigte Texas Instruments auch den TIP2955. Dieses Bauteil stammt aus dem Jahr 1980.
An der Unterseite dieses Gehäuses findet sich eine Art weißes Geflecht. Wahrscheinlich ist das Material mit Glasfasern verstärkt, die hier sichtbar werden.
Wie beim TIP3055 beschrieben, lässt sich dieses ältere Gehäusematerial von Texas Instruments thermisch nur schwer zersetzen. So bleiben auch hier Reste des Gehäusematerials zurück.
Der Aufbau des Transistors entspricht dem Aufbau des TIP3055. Die Kantenlänge ist mit 2,57mm minimal größer. Der Größenunterschied lässt sich über den breiter geschnittenen Rand erklären.
Der MESA-Graben des TIP2955 ist etwas gleichmäßiger als der Graben des TIP3055.
