Der MJE3055 ist eine Alternative zum 2N3055. Hier beträgt der maximal zulässige Kollektorstrom allerdings nicht 15A, sondern nur 10A. Das TO127-Gehäuse ist etwas größer als ein TO220-Gehäuse und ermöglicht so eine Verlustleistung von bis zu 90W. Der MJE3055 ist damit etwas weniger leistungsfähig als der 2N3055 im TO3-Gehäuse. Im alternativen TO220-Gehäuse erlaubt der MJE3055 nur 75W. Die Sperrspannung beträgt 60V, die Grenzfrequenz 2MHz.
Der komplementäre Typ ist der MJE2955.
Im Gehäuse befindet sich ein relativ dicker Träger. Eine silikonartige Schicht schützt das Die und die Bonddrähte.
Die Vergussmasse lässt sich relativ gut entfernen.
Die Abmessungen des Dies betragen 3,2mm x 2,8mm. Es scheint sich um denselben Transistor zu handeln, den Motorola im 2N3055I eingesetzt hat.
Typisch für einen MESA-Transistor ist der Randbereich heruntergeätzt, so dass sich bei der Basis-Kollektor-Grenzfläche saubere Außenkanten ergeben. Der Ätzvorgang hat eine interessante Oberflächenstruktur zurückgelassen.
Emitter und Basis bilden die typischen Strukturen eines Leistungstransistors. Zur Kontaktierung der Flächen befinden sich in der schützenden Passivierungsschicht Aussparungen, deren Kanten in der Oberfläche der Metalllage sichtbar werden.
