Richi´s Lab

RCA 2N3375

2N3375

2N3375

Der 2N3375 entspricht dem 2N3553, ist aber auf Grund seiner Bauform leistungsfähiger. Das TO60-Gehäuse besteht aus einem massiven Heatspreader mit einem Gewinde, das es erlaubt den Transistor in einen Kühlkörper zu schrauben. Während der 2N3553 einen Kollektorstrom von 0,33A dauerhaft und 1A kurzzeitig ermöglicht, kann der 2N3375 mit 0,5A dauerhaft und 1,5A kurzzeitig belastet werden. Die abführbare Verlustleistung erhöht sich von 7W auf 11,6W. Das Datenblatt führt außerdem den noch leistungsfähigeren 2N3632, der im selben Gehäuse sitzt, aber 23W abführen kann (1A/3A).

 

2N3375

Auf der Oberseite des Gehäuses befindet sich eine rosa Keramikscheibe. Die Anschlusspins wurden durch diese Scheibe geführt und verlötet.

 

2N3375 öffnen

Der 2N3375 enthält wie viele Hochfrequenz-Leistungstransistoren Berylliumoxid. Beim Öffnen des Gehäuses muss man entsprechend vorsichtig vorgehen.

 

2N3375 Aufbau

Die Anschlusspins befinden sich in Hülsen und sind fest mit dem Keramikträger des eigentlichen Transistors verbunden.

 

2N3375 Aufbau

Der Transistor ist auf eine Berrylliumoxidscheibe aufgelötet, die ihn vom Gehäuse isoliert. Gleichzeitig bietet die Keramik eine verhältnismäßig geringen Wärmewiderstand. Eine Abflachung erleichtert die Ausrichtung während er Herstellung.

 

2N3375 Aufbau

Das Die ist mit den Abmessungen 0,76 x 0,77mm genauso groß wie das Die des 2N3553. Auch der Aufbau des Transistors ist der gleiche. Die sehr viel höhere Leistungsfähigkeit (11,6W gegenüber 7W) ergibt sich durch die bessere Wärmeableitung des 2N3375.

Der noch leistungsfähigere 2N3632 ermöglich es im selben Gehäuse 23W abzuführen. Während das Datenblatt für den 2N3552 und den 2N3375 die gleichen Kollektor-Basis-Kapazitäten angibt, weist es für den 2N3632 eine doppelt so hohe Kapazität aus. Man kann spekulieren, dass dort zwei Dies integriert wurden. Der Keramikträger würde gerade so genug Raum für ein zweites Die bieten.

Im Gegensatz zum 2N3553 ist der Emitter des 2N3375 mit nur einem Bonddraht angebunden. Die Bonddrähte sind aber dreimal mit den Kontaktflächen verschweißt.

 

2N3375 Aufbau

Zur Befestigung des Dies wurde ein goldhaltiges Lot verwendet.

 

2N3375 Die

Das Die gleicht bis auf Kleinigkeiten in den Randstrukturen dem Die im 2N3553.

 

2N3375 Die Detail

Die Funktionsweise des Overlay-Transistors ist im Rahmen des 2N3553 genauer beschrieben.

 

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