Der BD115 ist ein früher Siliziumtransistor, der bis zu 180V sperren kann. Die Entwicklung geht auf Valvo zurück. Heute existieren auch Modelle von jüngeren Herstellern wie CDIL. Der hier vorliegende Transistor trägt kein Logo und keine Herstellerbezeichnung, es schein aber sehr alt zu sein, was dafür spricht, dass es von Valvo gefertigt wurde.
Die spezifizierte Sperrspannung zeigt, dass es sich noch um einen frühen Prozess handelt. Während die Kollektor-Basis-Durchbruchspannung 245V beträgt, wird die Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung nur mit 180V angegeben. Bei dieser Spannung steigt der Kollektor-Basis-Leckstrom bereits so stark an, dass der Transistor überlastet wird. Im Datenblatt findet sich ein Wert von 0,55mA für eine Sperrspannung von 200V und einer Junctiontemperatur von 200°C. In diesem Betriebspunkt fallen 110mW an.
Der Kollektorstrom darf bis zu 150mA betragen. Bei einer Gehäusetemperatur von 100°C kann das TO-39 Gehäuse bis zu 6W abführen. Die Gleichstromverstärkung wird mit 60 angegeben (100V/50mA). Die Grenzfrequenz liegt bei 145MHz.
Der eigentliche Transistor befindet sich auf einem Sockel im Gehäuse.
Die Abmessungen des Dies betragen 0,75mm. Es trägt die typischen Strukturen eines Leistungstransistors. Basis- und Emitterkontaktierung greifen kammförmig ineinander. Die abgerundeten Ecken des Basis- und des Kollektorbereichs wirken sich positiv auf das elektrische Feld aus, was die Isolationsfähigkeit verbessert. Der Abstand zwischen Basis- und Kollektorpotential ist entsprechend der spezifizierten Sperrspannung verhältnismäßig groß.
An der oberen rechten Kante findet sich ein interessantes Artefakt. Die Basis-Metalllage ist an dieser Stelle etwas verfärbt, der Kollektorrahmen scheint zur Basisfläche hin angeschmolzen zu sein. Entweder kam es hier zu einem verhältnismäßig energiearmen Überschlag, der die restlichen Strukturen nicht beschädigt hat oder es handelt sich um eine Schwäche bei der Fertigung des Transistors.
