Richi´s Lab

HFO SL113

SL113

Der SL113 ist ein vom Halbleiterwerk Frankfurt Oder gefertigter Hochfrequenz-Leistungstransistor im TO-66 Gehäuse. Die Sperrspannung wird mit 60V angegeben. Der Kollektorstrom darf dauerhaft 400mA, kurzzeitig 700mA betragen. Die Grenzfrequenz liegt mit 40MHz relativ hoch. Neben dem SL113 existieren der SL112 mit einer Sperrspannung von 40V und der SL114 mit einer Sperrspannung von 100V. Die restlichen Kennwerte der drei Transistoren sind gleich spezifiziert. Es ist gut denkbar, dass es sich um verschiedene Sortierung des gleichen Transistortyps handelt.

 

SL113

Neben der Bezeichnung SL113 befindet sich das Logo des Halbleiterwerks Frankfurt Oder. KB scheint der Datecode zu sein und würde auf den August 1961 hindeuten. Im RFT-Katalog "Halbleiter-Bauelemente" von 1965 wird der SL113 allerdings unter der Überschrift "Transistoren, deren Entwicklung 1965 abgeschlossen wird." geführt. Das S am Ende der Beschriftung steht angeblich dafür, dass das Bauteil auf minimales Rauschen vermessen wurde.

 

SL113 Aufbau

SL113 Aufbau

Die Anschlusspins sind weit in das Gehäuse hineingeführt und zum Die hin gebogen. Wahrscheinlich war diese Konstruktion vorteilhaft für die Fertigung.

 

SL113 Bonddraht

SL113 Bonddraht

Die stark gewinkelte Führung des Bonddrahts führt dazu, dass der Abstand zum Gehäuse sehr klein wird.

 

SL113 die attach

Der Transistor ist auf einem runden Träger aufgelötet, der selbst wiederum auf der Grundplatte des Transistors aufgelötet wurde.

 

SL113 Die

SL113 Die

SL113 Die

Die Abmessungen des Dies betragen 2,6mm x 1,6mm. Die einzelnen Bereiche sind sehr groß und entsprechend gut zu erkennen. Mittig befindet sich die Emitterfläche mit einem Streifen einer Metallisierung, die von links kontaktiert wird. Die Emitterfläche ist in einer Basisfläche eingebettet, die von rechts kontaktiert wird. Die U-förmige Kontaktelektrode reduziert die Zuführungswiderstände zu den aktiven Bereichen und sorgt für eine etwas homogenere Stromverteilung. Um und unter der Basisfläche befindet sich der Kollektor.

Der ganze Aufbau ist noch nicht so sauber gefertigt, wie man es von aktuelleren Prozessen kennt. An der oberen Kante des Dies ist innerhalb der Rahmenstruktur ein kleiner Teil der Oberfläche ausgebrochen. Weiter rechts befindet sich ein Artefakt, das vermutlich durch eine Verschmutzung während der Fertigung entstanden ist.  Von der Metallisierung des Emitterbereichs aus verlaufen einige Kratzer zum Basisbereich.

Der bereits zitierte RFT-Katalog erklärt, dass das Die mit einer schützenden Siliziumoxidschicht überzogen wurde. Diese Passivierungsschicht ist von Vorteil, weil der Transistor damit robuster gegenüber Umwelteinflüssen ist und diesbezüglich keine Zusatzmaßnahmen mehr notwendig sind. Transistoren ohne Passivierungsschicht werden meist mit einem Verguss vor Korrosion geschützt (z.B. 156-043) oder es kommen Bindemittel zum Einsatz (z.B. AU103).

 

SL113 Die Detail

Im Detail betrachtet zeigt sich, dass der Emitterbereich eine minimal raue Oberfläche besitzt. Wie diese Struktur entstanden ist bleibt unklar.

Unterhalb des Basis-Bonddrahts ist eine minimale Beschädigung zu erkennen, die wahrscheinlich beim Bondvorgang entstanden ist.

 

SL113 Die Breakdown 10mA

Die Basis-Emitter-Sperrspannung ist mit maximal -4V spezifiziert. Im vorliegenden Transistor erfolgt der Durchbruch bei -10V. Der Strom beträgt hier 10mA. Es zeigt sich der charakteristische Leuchteffekt. Die einseitige Verteilung des Leuchtens weist auf eine nicht ganz optimale Stromverteilung hin.

 

SL113 Die Breakdown 20mA

20mA

 

SL113 Die Breakdown 50mA

50mA

 

SL113 Die Breakdown 100mA

100mA

 

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