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STMicroelectronics BUX42

BUX42

Der BUX42 ist ein auf den Schaltbetrieb optimierter Leistungstransistor mit einer Sperrspannung von 250V, einem maximal zulässigen Strom von 12A (15A Spitze) und einer Grenzfrequenz von mindestens 8MHz. Über das TO-3-Gehäuse kann der BUX42 bis zu 120W abführen.

 

BUX42 Aufbau

BUX42 Aufbau

Das Gehäuse beinhaltet einen großen Heatspreader, ein verhältnismäßig großes Die und relativ dicke Bonddrähte.

Das in das Gehäuse eingeprägte C könnte eine Qualitätsstufe kennzeichnen, die während der Fertigung bestimmt wurde.

 

BUX42 Aufbau

Um das Die auf dem Heatspreader zu befestigen wurde so wenig Lot eingesetzt, dass es im Übersichtsbild kaum zu erkennen ist. Bei genauerer Betrachtung zeigt sich, dass das überflüssige Lot in den Rillen des Heatspreaders sehr weit abfließen konnte. So blieb nur die wirklich notwendige Schicht zurück und die anfallende Verlustleistung wird möglichst optimal abtransportiert.

 

BUX42 Die

BUX42 Die

Die hellen Flächen auf der Metalllage sind die Bereiche, die Basis und Emitter kontaktieren. Die Emitterkontaktierung hält etwas Abstand zur eigentlichen Basis-Emitter-Grenzfläche. Dieser "wide-emitter narrow-contact" Aufbau erzeugt einen verteilten Emitterwiderstand, der eine gleiche Stromverteilung über die Grenzfläche sicherstellt.

Die Basiskontaktierung erstreckt sich überraschenderweise nicht um den kompletten Umfang des Dies. An der linken Kante schließt die Basis-Metallfläche zwar den Rahmen um den Emitter, es erfolgt aber keine Kontaktierung der darunter liegenden Fläche.

 

BUX42 Die Detail

118 könnte eine interne Bezeichnung des Designs sein.

 

BUX42 Die Detail

BUX42 Die Detail Durchbruch 1A

Die Basis-Emitter-Sperrschicht ist gut zu erkennen. Bei einer Spannung von -15V erfolgt der Durchbruch der Sperrschicht. Durch die chaotische Ionisation des Lawinendurchbruchs ergibt sich der bekannte Leuchteffekt, der die Sperrschicht markiert. Der Stromfluss beträgt hier 1A.

 

BUX42 Die Detail Durchbruch 20mA

Bei geringeren Strömen, hier 20mA, setzt der Durchbruch zuerst nur in den Bereichen oberhalb der Basis-Kontakte ein.

 

BUX42 Die Detail Durchbruch 100mA

Bei einem Strom von 100mA ist der Effekt noch deutlicher erkennbar.

 

BUX42 Die Detail Durchbruch 200mA

Erst bei 200mA zeigen sich auch unterhalb der Basis-Kontakte die ersten Durchbruchbereiche.

 

BUX42 Die Detail Durchbruch 500mA

500mA

 

BUX42 Die Detail Durchbruch 1A

Erst bei einem Strom von 1A verbinden sich die Durchbruchbereiche zu einem leuchtenden Band.

Da die Basisfläche an der linken Kante des Transistors nicht von der Metalllage kontaktiert wird, ist der Bahnwiderstand dort höher und der Stromfluss konzentriert sich auf den rechten Bereich.

 

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