Richi´s Lab

Kleinsignal-Transistoren (Bipolar)

2N1561 Motorola
Hochfrequenz-Germanium-Transistor, Legierungs-Diffusions-Transistor mit MESA-Struktur

2N1613 Telefunken
weltweit erster Planartransistor

2N2222A Motorola
Hochfrequenz-Transistor
Basis-Emitter-Durchbruch und Analyse des Ausfalls

2N2857 Central Semiconductor
Hochfrequenz-Transistor
Basis-Emitter-Durchbruch und Basis-Kollektor-Durchbruch

ACY38 COSEM
Germanium-Legierungstransistor

ASY25 Siemens
Germanium-Legierungstransistor

SS109 HFO
Basis-Emitter-Durchbruch und Ausfallbilder

 

Leistungs-Transistoren (Bipolar)

2N3055
produziert under anderem von RCA, Siemens, Signetics und ST
Entwicklung der Typen und deren Eigenschaften bis hin zur Fälschung

2SC2922 Sanken
mit perforated Emitter

3DD15D Inchange
LowCost

AU103 Philips
Germanium-Legierungstransistor

BD911 STMicroelectronics
mit perforated Emitter

BUX22 STMicroelectronics (alt)
BUX22 STMicroelectronics (neu)
BUX22 STMicroelectronics (Fälschung)
Hochspannung-/Hochstrom-Transistor (300V/50A), MESA-Struktur mit perforated Emitter
Basis-Emitter-Durchbruch an Störstellen

KD324510 Powerex
Hochleistungs-Halbbrückenmodul

KD501 Tesla
MESA-Transistor
Dokumentation des Basis-Emitter-Druchbruchs über ansteigenden Strom

MJL21193 ON Semiconductor
MESA-Transistor mit perforated Emitter

TIP2955
von STMicroelectronics (perforated Emitter), ON Semiconductor und Texas Instruments (klassisches Design)

TIP3055
von STMicroelectronics (perforated Emitter) und Texas Instruments (klassisches Design)

 

Sondertypen

2N6027
Programmable Unijunction Transistor

ST103
Thyristor

 

 

zurück
oder unterstützt mich über Patreon