Richi´s Lab

Bipolartransistoren (Silizium)

Kleinsignal-Transistoren

2N1613 Telefunken
weltweit erster Planartransistor (Fairchild)

2N2222A Motorola
Hochfrequenz-Transistor
mit Basis-Emitter-Durchbruch und Analyse des Ausfalls

2N2857 Central Semiconductor
Hochfrequenz-Transistor
mit Basis-Emitter-Durchbruch und Basis-Kollektor-Durchbruch

2N3553 RCA
Hochfrequenz-Overlay-Transistor
mit Basis-Emitter-Durchbruch

BC149B
BC158
komplementäre Transistoren

BC239C
von Philips und Siemens

BC546B / BC546C ON Semiconductor
BC556B ON Semiconductor
komplementäre Transistoren

BC550C
BC560C
komplementäre Transistoren von Philips, CDIL und Fairchild

SF137 HFO
Hochfrequenz-Transistor

SS109 HFO
mit Basis-Emitter-Durchbruch und Ausfallbilder

ZTX108C Ferranti

ZTX312 Ferranti
Hochfrequenz-Transistor

Digitaltransistoren

Doppeltransistoren / Transistorarrays

2N2915 Texas Instruments
Doppeltransistor

К1HT291Б / K1NT291B ALFA
Doppeltransistor Entwicklungsmodell

SL3127 Plessey Semiconductors
SL3145 Plessey Semiconductors
Hochfrequenz-Transistorarray

Leistungs-Transistoren

156-043 Westinghouse
1561-0403 Westinghouse
mit Basis-Emitter-Durchbruch

2N3054 Sescosem
MESA-Transistor

2N3055
Elektronska Industrija, Greaves, ITT, Motorola, RCA, Siemens, Solitron, ST
Entwicklung der Typen und deren Eigenschaften bis hin zur Fälschung

2N3375 RCA
Hochfrequenz-Overlay-Transistor

2N3752 Solid State

2SC2922 Sanken
Multi-Emitter-Transistor

391HT2 Sescosem

3DD15D Inchange
LowCost-Transistor

BD911 STMicroelectronics
Perforated Emitter Transistor

BDY92
Hochfrequenztransistor

BUX22 STMicroelectronics (alt)
BUX22 STMicroelectronics (neu)
BUX22 STMicroelectronics (Fälschung)
Hochspannung-/Hochstrom-Schalttransistor (300V/50A), MESA-Struktur mit perforated Emitter
mit Basis-Emitter-Durchbruch an Störstellen

BUX42 STMicroelectronics
mit Basis-Emitter-Durchbruch

BUX66 Motorola (Fälschung)
mit Basis-Emitter-Durchbruch

ENI-1B Motorola
MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch

D44H11 / D44H8 / KSE44H11
von STMicroelectronics und ON Semiconductor

KD501 Tesla
KD605 Tesla
KD616 Tesla
komplementäre MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch

KT808AM (neues Design, 1986 und 1984)
KT808AM (altes Design, 1982)
KT808AT (altes Design, 1978)
KT808BM (altes Design, 1983)
MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch an Störstellen

KU605 Tesla
KU607 Tesla
KU608 Tesla
MESA-Transistor (Schalttransistor) mit Basis-Emitter-Durchbruch

MJL21193 ON Semiconductor
MESA-Transistor mit perforated Emitter

MJ802 Motorola
MESA-Transistor mit zerstörten Strukturen

SL113 HFO
früher Hochfrequenz-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch

TIP2955
von STMicroelectronics (perforated Emitter), ON Semiconductor und Texas Instruments (klassisches Design)
TIP3055
von STMicroelectronics (perforated Emitter) und Texas Instruments (klassisches Design)

Hochleistungs-Transistormodule

KD324510 Powerex
Halbbrücken-Darlingtonmodul

SU510 Gleichrichterwerk Stahnsdorf
Darlingtonmodul

Darlington-Transistoren

SU111 Gleichrichterwerk Stahnsdorf

MJ2501 Motorola
MJ3001 Gleichrichterwerk Stahnsdorf
MJ3001 Motorola (1979)
MJ3001 Motorola (1980)
komplementäre Transistoren mit Basis-Emitter-Durchbruch an Störstellen

IGBTs

IRG4PH40K International Rectifier
1200V / 30A

IXGH48N60C3D1 IXYS
600V / 48A

Smart-Switch

30221 Bosch (Querverlinkung)

TPIC2404 Texas Instruments
Vierfach-Endstufe

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