Richi´s Lab

Bipolartransistoren (Silizium)

Kleinsignal-Transistoren

2N1613 Telefunken
weltweit erster Planartransistor (Fairchild)

2N2222A Motorola
Hochfrequenz-Transistor
mit Basis-Emitter-Durchbruch und Analyse des Ausfalls

2N2857 Central Semiconductor
Hochfrequenz-Transistor
mit Basis-Emitter-Durchbruch und Basis-Kollektor-Durchbruch

2N3553 RCA
2N3357 RCA
Hochfrequenz-Overlay-Transistor
mit Basis-Emitter-Durchbruch

BC239C
von Philips und Siemens

BC546B / BC546C ON Semiconductor
BC556B ON Semiconductor
komplementäre Transistoren

BC547C Philips

BC550C
BC560C
komplementäre Transistoren von Philips, CDIL und Fairchild

MPSA56 Philips

SS109 HFO
mit Basis-Emitter-Durchbruch und Ausfallbilder

ZTX108C Ferranti

ZTX312 Ferranti
Hochfrequenz-Transistor

Leistungs-Transistoren

156-043 Westinghouse
1561-0403 Westinghouse
mit Basis-Emitter-Durchbruch

2N3054 Sescosem
MESA-Transistor

2N3055
produziert unter anderem von Greaves, ITT, Motorla, RCA, Siemens, Solitron und ST
Entwicklung der Typen und deren Eigenschaften bis hin zur Fälschung

2SC2922 Sanken
Multi-Emitter

3DD15D Inchange
LowCost

BD911 STMicroelectronics
Perforated Emitter

BUX22 STMicroelectronics (alt)
BUX22 STMicroelectronics (neu)
BUX22 STMicroelectronics (Fälschung)
Hochspannung-/Hochstrom-Schalttransistor (300V/50A), MESA-Struktur mit perforated Emitter
mit Basis-Emitter-Durchbruch an Störstellen

BUX42 STMicroelectronics
mit Basis-Emitter-Durchbruch

BUX66 Motorola (Fälschung)
mit Basis-Emitter-Durchbruch

ENI-1B Motorola
MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch

D44H11 / D44H8 / KSE44H11
von STMicroelectronics und ON Semiconductor

KD501 Tesla
KD605 Tesla
MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch

KT808AM (neues Design, 1986 und 1984)
KT808AM (altes Design, 1982)
MESA-Transistor mit Basis-Emitter-Durchbruch

KU605 Tesla
KU607 Tesla
KU608 Tesla
MESA-Transistor (Schalttransistor) mit Basis-Emitter-Durchbruch

MJL21193 ON Semiconductor
MESA-Transistor mit perforated Emitter

MJ802 Motorola
MESA-Transistor mit zerstörten Strukturen

SL113 HFO
früher Hochfrequenz-Leistungstransistor mit Basis-Emitter-Durchbruch

TIP2955
von STMicroelectronics (perforated Emitter), ON Semiconductor und Texas Instruments (klassisches Design)
TIP3055
von STMicroelectronics (perforated Emitter) und Texas Instruments (klassisches Design)