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Plessey Semiconductors SL3127C

SL3127C

Der SL3127C ist ein schnelles Transistorarray der britischen Firma Plessey Semiconductors. Die darin enthaltenen fünf Transistoren bieten bei 5mA Kollektorstrom eine Grenzfrequenz von 1,6GHz. Die Sperrspannung beträgt dafür nur 18V.

 

SL3127C Datenblatt

Das Datenblatt zeigt die Verschaltung der fünf Transistoren. Plessey garantiert, dass sich die Basis-Emitter-Spannungen höchstens um 5mV unterscheiden.

Das Substrat muss über den Pin 5 mit dem negativsten Potential der Transistoren verbunden werden. Man kann allerdings auch ein etwas niedrigeres Potential dort anschließen. Die dann breitere Sperrschicht reduziert parasitäre Kapazitäten und Leckströme. Die maximal zulässige Kollektor-Substrat-Spannung beträgt typischerweise 55V, der Toleranzbereich ist aber sehr groß. Garantiert werden nur 20V.

 

SL3127C Die

SL3127C Die

Die Abmessungen des Dies betragen 1,1mm x 1,0mm. An der oberen Kante befindet sich die interne Bezeichnung WH047B. Über alle Kanten verteilt finden sich Hilfsstrukturen, die es ermöglichen die Qualität des Herstellungsprozesses zu bewerten.

Das Bondpad des Pin 1 ist durch die abgeschrägten äußeren Kanten zu erkennen. Links oben und rechts unten befindet sich jeweils ein Kontakt zum Substrat. Der untere Kontakt ist an das Bondpad des Pin 5 angebunden. Im Inneren des Dies sind sechs längliche Transistoren integriert. Der ungenutzte Transistor in der oberen linken Ecke ist mit einem Streifen der Metalllage kurzgeschlossen.

 

SL3127C Die Transistoren

SL3127C Die Transistoren

SL3127C Die Transistoren

Die Transistoren befinden sich in braunen Bereichen, die höchstwahrscheinlich invers zur grünen Fläche dotiert sind. Die so entstehende Sperrschicht isoliert die Transistoren gegeneinander. Der braune Bereich stellt den Kollektor dar. Das Kollektorpotential wird über das obere und das untere Ende zugeführt. Auf dem kurzgeschlossenen Transistor zeichnet sich um die Durchkontaktierung des Kollektors ein zusätzlicher Rahmen ab. Höchstwahrscheinlich handelt es sich dabei um einen hochdotierten Bereich, der entweder nur lokal für eine niederohmige Verbindung sorgt oder eine tiefer liegende hochdotierte Kollektorzuleitung kontaktiert.

In der Kollektorfläche befindet sich ein großer Bereich mit drei kleinen Flächen. Man würde erwarten, dass die große Fläche die Basisdotierung und die kleinen Flächen die Emitterdotierung enthalten. Zu den kleinen Flächen führt allerdings das Basispotential. Das Emitterpotential kontaktiert die große Fläche. Das lässt vermuten, dass es sich um einen sogenannten perforated Emitter handelt, eine Emitterfläche mit Durchbrüchen, durch die die darunter liegende Basisfläche kontaktiert wird. Derartige Strukturen finden sich beispielsweise im Leistungstransistor BUX22 oder im Audioverstärker LA4102. Die Basisfläche sollte trotzdem etwas breiter sein als die Emitterfläche, was hier nicht zu erkennen ist. Entweder setzt sich die tiefere Schicht optisch nicht ab, oder der Größenunterschied ist nur sehr klein.

 

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