Der hier vorliegende Transistor dient zur Entwicklung von Hybridschaltkreisen, wie zum Beispiel der DAC 32 einer ist. Das Logo weist den Transistor als ein Bauteil des russischen Herstellers Pulsar aus. Ansonsten finden sich kaum weitere Informationen. Vermutlich besteht die Typbezeichnung nur aus den Zeichen A479A. Ein nicht mehr erreichbares, russisches Forum enthält einen Eintrag, nach dem es sich dabei um den Transistor 2T319A handeln könnte. Die Vermessung zeigt, dass es auf jeden Fall ein Silizium-NPN-Transistor ist. 67 verweist vermutlich auf den Jahrgang 1967.
Entfernt man die Umverpackung, so ist der Transistor mit seinen Bonddrähten weiterhin durch zwei Kunststoffscheiben geschützt.
Das Entwicklungsmodell des Doppeltransistors K1NT291B ist mit einem Röhrensockel ausgestattet, damit man ihn vor dem Verbau vermessen kann. Hier hat man die Bonddrähte mit dickeren Anschlussdrähten verbunden, die wiederum in einer der Kunststoffscheibe verankert sind. Zur Integration in einen Hybridschaltkreis durchtrennt man die dünnen Bonddrähte, fügt den Transistor in die aufzubauende Schaltung ein und bindet die Bonddrähte an.
Der Transistor selbst weist eine Kantenlänge von ungefähr 1mm auf und ist beidseitig durch eine rote Vergussmasse vor Umweltbedingungen geschützt.
Bei der Entfernung des Vergussmasse bleiben hartnäckige Reste zurück. Es könnte sein, dass Unregelmäßigkeiten in der Oberfläche des Transistors zumindest einen Teil dazu beitragen. Erst der Einsatz von Flusssäure entfernt die meisten Verschmutzungen, allerdings auch die Lichtresonanzen, die es vereinfachen die unterschiedlichen Strukturen zu unterscheiden. Es fällt auf, dass auf der Oberfläche trotzdem noch einige Unregelmäßigkeiten zurückbleiben.
Die Vermessung des Transistors zeigt wo sich Kollektor-, Basis- und Emitterkontakt befinden. Der große Kontakt links auf dem Die ist nicht wie man erwarten würde der Kollektor-, sondern der Basisanschluss. Das mittige Quadrat scheint ein Durchbruch zu sein, der es ermöglicht eine tiefer liegende Kollektorschicht zu kontaktieren. Darüber befindet sich vollflächig die Basisschicht, die links auf dem Die mit einem entsprechend großen Kontakt elektrisch angebunden werden konnte. Das rechte Quadrat muss die Emitterfläche enthalten, die in die Basisschicht eingebettet ist.
