Der SF123 ist ein vom Halbleiterwerk Frankfurt Oder entwickelt und produzierter Transistor im TO-5 Gehäuse. Die Zeichen DO stehen für eine Fertigung im April 1974. Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung beträgt laut Datenblatt 40V. Der SF122 und der SF121 scheinen schlechtere Sortierungen zu sein. Sie bieten die gleichen Spezifikationen, sperren aber nur 30V beziehungsweise 20V. Der Kollektorstrom darf dauerhaft bis zu 100mA betragen und es können bis zu 600mW abgeleitet werden.
Das Datenblatt empfiehlt den SF123 für Anwendungen im NF- und HF-Gebiet vorzugsweise in Breitbandverstärkern. Die Grenzfrequenz ist allerdings mit typischerweise 130MHz, minimal 60MHz nicht übermäßig hoch. Der SF137 mit seiner Grenzfrequenz von mindestens 300MHz eignet sich eher für Hochfrequenzanwendungen.
Wie beim SF137 bereits beschrieben, war die Spreizung der Stromverstärkung der Transistorfamilie anfänglich sehr hoch. Es waren Werte zwischen 18 und 1120 zulässig, die dann in sechs Gruppen sortiert wurden. Als SF123D bot der vorliegende Transistor eine Stromverstärkung von 112 bis 280. Das passt dazu, dass ab 1970 angeblich nur noch D- und E-Typen anfielen.
Der SF123 ein einfacher Planar-Transistor, was sich in der Höhe der Sättigungsspannung widerspiegelt. Bei der Herstellung bildet ein n-dotiertes Substrat den Kollektor, in den nacheinander Basis und Emitter eindiffundiert werden. Das Datenblatt gibt für den SF123 eine maximale Sättigungsspannung von 1V an. Der SF137 ist dagegen ein Planar-Epitaxie-Transistor. Dort ist das Substrat stark n-dotiert, was einen niedrigen Kollektorwiderstand garantiert. Der Kollektorbereich selbst darf allerdings nicht zu stark dotiert sein, da die Sperrspannung sonst sehr niedrig ausfällt. Aus diesem Grund wird auf dem hochdotierten Substrat ein dünner, weniger stark dotierter Kollektorbereich epitaktisch aufgetragen. Das Ergebnis ist eine maximale Sättigungsspannung von nur 0,3V.
Mit einer Kantenlänge von 1mm ist der SF123 deutlich größer als der SF137 (0,49mm). In den unteren Ecken befinden sich Strukturen, die es ermöglichen die Ausrichtung der Masken zu überprüfen.
Der kreisförmige Emitterbereich und der umgebende Basisbereich sind deutlich zu erkennen.
Die Basis-Emitter-Strecke bricht bei -8V durch und es zeigt sich der bekannte Leuchteffekt des Lawinendurchbruchs. Bei einem Strom von 10mA zeichnen sich deutlich einzelne Durchbruchbereiche ab.
Bei 20mA erhöht sich die Anzahl der Durchbruchbereiche, die sich relativ gleichmäßig über die Grenzfläche verteilen.
50mA
Bis 80mA sind noch einzelne Durchbruchbereiche zu erkennen.
Bei höheren Strömen, hier 400mA, leuchtet die Sperrschicht gleichmäßig.
