Der SSY20 aus dem Halbleiterwerk Frankfurt Oder wurde als Alternative zum BSY34 für den Einsatz in Ferrit-Ringkernspeichern entwickelt. Die Spezifikationen sind entsprechend ähnlich. Der Transistor sperrt 40V und leitet bis zu 600mA. Die Schaltzeiten sind mit 50ns beziehungsweise 100ns (Ton/Toff) etwas größer als beim BSY34. Die Zeichen PL stehen für eine Fertigung im Dezember 1971.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 0,7mm. Auf der Oberfläche sind teilweise deutliche Beschädigungen zu sehen. Die aktiven Strukturen erinnern an den Aufbau von Leistungstransistoren. In der unteren linken Ecke befindet sich eine Geometrie, die es erlaubt die Ausrichtung der Masken zu überprüfen.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Sperrschicht erfolgt bei -9,4V. In den hier zu sehenden Bildern steigt der Strom von 10mA auf 50mA in 10mA-Schritten. Der Leuchteffekt erscheint ungleichmäßig, was vermuten lässt, dass die Strukturen etwas inhomogen aufgebaut sind oder Störstellen enthalten.
Die Rekombination freier Ladungsträger strahlt Licht im Infrarotbereich ab, wodurch man die Rekombinationszentren sichtbar machen kann. Details dazu finden sich im Rahmen des SF137. Besonders aufschlussreich sind die Verteilung der Lichtinseln und deren Leuchtdichten beim SSY20 allerdings nicht.
Hier ist ein weiterer SSY20-Transistor zu sehen, der ebenfalls im Dezember 1971 produziert wurde.
Der Aufbau und die Strukturen sind grundsätzlich gleich. Es findet sich allerdings im unteren Bereich des Transistors eine signifikante Beschädigung. Die optische Erscheinung des Defekts und die Verortung lassen vermuten, dass er nicht durch eine elektrische Überlastung entstanden ist. Eine Prozesschwäche in der Produktion erscheint hier wahrscheinlicher.
Dieser Transistor ist nicht beschriftet, es ist aber bekannt, dass es sich ebenfalls um einen SSY20 handelt.
Es findet sich das gleiche Design wie bei den bereits dokumentierten SSY20-Transistoren. Hier war der erste Bondvorgang am Emitter offensichtlich nicht erfolgreich.
Hier ist der Aufbau eines weiteren unbeschrifteten SSY20-Transistors zu sehen.
Auch in diesem Transistor ist die Bondqualität nicht ideal. Beim Basispotential (links) ist der Bereich neben dem Bonddraht stark beschädigt. Der optischen Erscheinung nach fand dort ein Bondvorgang statt, bei dem sich der Bonddraht wieder gelöst hat. Im rechten unteren Bereich des Transistors ist die Metalllage stark verkratzt, was ebenfalls während des Bondvorgangs passiert sein könnte.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei diesem Modell früher, bei -6,5V. Die Ströme betragen hier 10mA, 20mA, 50mA, 100mA und 200mA. Trotz der Beschädigungen ist die Lichtverteilung noch verhältnismäßig gleichmäßig.
Die Kollektor-Basis-Sperrschicht kann man bei 77,5V ebenfalls zum Durchbruch bringen. Der Stromfluss beträgt bei diesem Bild nur 10mA. Dabei fällt aber bereits eine Verlustleistung von 775mW an, weswegen man diesen Arbeitspunkt nur sehr kurz anfahren kann.
Wie beim Basis-Emitter-Durchbruch tritt auch beim Kollektor-Basis-Durchbruch ein Leuchteffekt auf. Wie deutlich dieser Effekt sein kann, hat die Dokumentation des 2N2857 gezeigt. Im SSY20 leuchtet lediglich ein kleiner Punkt im rechten Bereich der unteren Kante auf.
