Die Beschriftung E1 kennzeichnet den Hochfrequenztransistor BFS17, der von verschiedenen Firmen produziert wurde. Mit einer Sperrspannung von 15V, einem maximalen Kollektorstrom von 25mA und einer maximalen Verlustleistung von 200mW ist der Transistor nicht besonders leistungsfähig. Die Grenzfrequenz liegt dafür typischerweise oberhalb von 2GHz. Die geringe Emitter-Basis-Durchbruchspannung von 2,5V zeigt, wie hoch die Dotierung gewählt wurde.
Das Die des BFS17 ist mit den Abmessungen 0,32mm x 0,28mm sehr klein.
Der Transistor weist die typische Struktur auf, bei der Basis- und Emitterkontakte auf der Basisfläche ineinander greifen.
