Der 2N2915 ist ein alter Doppeltransistor, den viele Hersteller im Angebot hatten. Er wird bereits 1964 von General Electric erwähnt (Transistor manual, seventh edition). Das hier vorliegende Bauteil stammt von Texas Instruments aus dem Jahr 1977. Der 2N2915 enthält zwei einzelne Transistoren, die nach möglichst gleichen Eigenschaften sortiert sind und sich so gut für den Aufbau von Differenzverstärkern eignen.
Der 2N2915 gehört zu einer Doppeltransistorfamilie, die vom 2N2913 bis zum 2N2920 reicht. Die verschiedenen Varianten bieten Spannungsfestigkeiten von 45V oder 60V und Stromverstärkungsfaktoren von 60-240 oder 150-600. Zusätzlich sind zwei Sortierungen verfügbar, die ein Verhältnis der zwei Stromverstärkungsfaktoren von mindestens 0,8 oder 0,9 garantieren. Der 2N2915 ist mit 45V, 60-240 und einem Verhältnis von 0,9 spezifiziert. Der maximale Kollektorstrom beträgt nur 30mA.
Im Gehäuse befinden sich zwei einzelne Transistoren. Sie sind auf einem Keramikträger aufgelötet, der für eine gute thermische Kopplung bei gleichzeitiger elektrischer Isolation sorgt. Wären die zwei Transistoren auf einem Die integriert, so wäre die thermische Kopplung noch besser, allerdings würden sich auch die Koppelkapazitäten und Leckströme erhöhen.
Die Kantenlänge der Transistoren beträgt 0,43mm. Der mittlere Kreis ist der Emitter. Die Emitterdotierung befindet sich in der Basisfläche, die über den kompletten Umfang mit der Metalllage verbunden ist. In den vier Ecken der Basiskontaktierung befinden sich weiße Flächen, die anscheinend Bondbereiche darstellen. So kann man die Basis unabhängig von der Orientierung des Dies kontaktieren. In der linken oberen Ecke ist der Abdruck einer Testnadel zu erkennen. Der äußere Metallrahmen besitzt keinen Bondbereich, wahrscheinlich soll der Rahmen lediglich einen sauberen Abschluss darstellen.
