Mit dem AT-32011 hatte Hewlett Packard einen schnellen Bipolartransistor im Portfolio. Der AT-32011 ist optimiert auf Applikationen mit niedrigen Versorgungsspannungen in den Frequenzbereichen 900MHz, 1,8GHz oder 2,4GHz. Laut Datenblatt basiert der Transistor auf einem Self-Aligned-Transistor Prozess mit einer Grenzfrequenz von 10GHz. Die maximale Sperrspannung beträgt 11V. Der Kollektorstrom darf nicht über 32mA steigen. Um eine hohe Grenzfrequenz erreichen zu können, wurde eine sehr hohe Dotierung gewählt, das zeigt sich in der niedrigen Basis-Emitter-Durchbruchsspannung von -1,5V.
Die Kantenlänge des Dies beträgt nur 230µm. Die Beschriftung zeigt, dass Hewlett Packard das Design im Jahr 1994 entwickelt hat. 320 scheint die Bezeichnung des Grundprojekts zu sein, aus der zumindest zwei Sortierungen hervor gehen. Neben dem AT-32011 führt das Datenblatt auch einen AT-32033. Der AT-32011 bietet einen etwas höheren Verstärkungsfaktor als der AT-32033. Der Emitteranschluss ist mit einem E gekennzeichnet, das hier von Resten des Bonddrahtes verdeckt ist.
Die Transistorstrukturen selbst sind zu klein, um sie auflösen zu können. Sie befinden sich unter dem dunklen Streifen in der Mitte, der ungefähr 70µm x 15µm groß ist. Das Datenblatt verrät, dass es sich um 20 Emitter mit einem Pitch von 3,2µm handelt. Zwischen den Emitteranschlüssen befinden sich die Basisanschlüsse und beide müssen einen gewissen Abstand zueinander halten. Das bedeutet, dass man ein Auflösungsvermögen von unter 1µm benötigt, um die Strukturen einigermaßen abbilden zu können. Die kammförmigen Kontakte sind gerade so zu erahnen.
