Der Intersil CA3096 ist ein Transistorarray mit drei NPN- und zwei PNP-Transistoren. Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung beträgt mindestens 45/40V (NPN/PNP). Kollektorströme bis 50/10mA sind spezifiziert. Die Stromverstärkung bei einem Kollektorstrom von 1mA liegt im Bereich von 150-500 / 20-200.
Die Variante mit dem Index A ist eine Sortierung mit enger spezifizierten Kenngrößen. Weniger genau spezifiziert Varianten tragen den Index C. Das vorliegende Bauteil, ohne Index an dieser Stelle, stellt die Grundvariante dar. Der zweite Buchstabe, hier ein E, steht für die Gehäusevariante.
Die Beschriftung auf dem Gehäuse macht einen etwas unsauberen Eindruck. Wie sich gleich zeigen wird, handelt es sich aber tatsächlich um einen CA3096.
Das Datenblatt enthält eine Abbildung der Metalllage, die die Andordnung der Transistoren und die Abmessungen zeigt.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 0,99mm. 6270 ist höchstwahrscheinlich die interne Projektbezeichnung. Im unteren rechten Bereich befindet sich eine Struktur mit einem Kreuz, die es ermöglicht die Ausrichtung der Masken gegeneinander zu überprüfen.
Die NPN- und die PNP-Transistoren zeigen den bekannten Aufbau. Da PNP-Transistoren in einem NPN-Prozess weniger effizient sind, musste man sie deutlich größer auslegen. Jeder PNP-Transistor besteht aus sieben einzelnen Elementen. Nur so kann man einigermaßen ähnliche Spezifikationen erzielen.
Das Datenblatt enthält typische Offset-Werte für den Fall, dass man mit den Transistoren Q1/Q2 oder Q4/Q5 einen Differenzverstärker aufbaut. Die Offsetspannung der PNP-Variante ist dabei etwas geringer als die der NPN-Variante. Die deutlich größeren Flächen der PNP-Transistoren, sorgen dafür, dass die real auftretenden Basis-Emitter-Spannungen dem typischen Wert näher sind. Bei den kleineren NPN-Transistoren wirkt sich die Streuung der Dotierung stärker aus.
