Die hier dokumentierten Kapazitätsdioden stammen aus einem Nachlass von Professor Heinz Beneking, der sich im Thüringer Museum für Elektrotechnik befindet. Professor Beneking war einer der ersten, der in Deutschland Forschung und Lehre im Bereich der Halbleitertechnik betrieben hat. Er war an der RWTH Aachen tätig.
Zu diesem Nachlass gehören außerdem:
Galliumarsenid-Versuchstransistor
Germaniumkristall "Rückschmelze"
Silizium-Versuchstransistor
Versuchsdiode "1959" Telefunken
Der hier zu sehende Umschlag enthält mehrere Tütchen mit Dioden. Varactordiode ist eine alternative Bezeichnung für eine Kapazitätsdiode.
Der Umschlag wurde aus einer technischen Zeichnung von Telefunken gefaltet. Sie ist auf den 26.7.1961 datiert und zeigt eine typische Hochfrequenzdiode. Die kleinen Abmessungen sind notwendig, um parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten klein zu halten. Das Bauteil trägt die Bezeichnung OA1123. Mit dieser Bezeichnung finden sich allerdings keine weiteren Informationen. Der Umschlag enthält drei verschiedene Gehäusevarianten, von denen nur eine mit der Zeichnung übereinstimmt. Es könnte sein, dass es sich verschiedene Gehäusevarianten der gleichen Diode handelt. Mit letzter Sicherheit kann man das natürlich nicht sagen. Eine Messung der Flussspannung zeigt, dass es sich um Germaniumdioden handelt.
Im Umschlag befindet sich ein Zettel, der eine Maximalfrequenz deutlich oberhalb von 10GHz spezifiziert. Bei Professor Beneking kamen die Dioden am 13.3.1963 an.
Von einer Gehäusevariante finden sich drei Tütchen mit jeweils einer Diode. Auf den Tütchen sind dreistellige Nummern und das Wort "grün" zu finden. Außerdem wurden einige Kenngrößen vermerkt.
Mit einer Länge von 4,9mm und einem Durchmesser von 3,5mm ist dieses Gehäuse etwas größer als das Gehäuse in der obigen Zeichnung.
Auf einer Seite findet sich die Zahl 299, die auch auf dem zugehörigen Tütchen vermerkt war. Der Farbpunkt darunter erscheint gelblich, wobei man einen Ansatz von Grün erkennen kann.
Das Glaselement ist recht inhomogen, was den Blick auf den Halbleiter trübt. Man kann allerdings bereits rechts eine Scheibe erkennen, die von links mit einem Draht kontaktiert wird.
Öffnet man das Gehäuse, so kann man den Aufbau genauer untersuchen. Der Kontaktdraht hat einen Durchmesser von 30µm. Er besitzt am Ende keine Spitze.
Auf der anderen Seite der Diode befindet sich ein Sockel, auf dem der Halbleiterkristall aufgelötet ist.
Entweder ist der Halbleiterkristall relativ klein oder ein Teil wird vom Lot verdeckt.
Auf der Oberfläche befindet sich ein Element, das mit der passenden Belichtung Goldfarben erscheint. Damit ähnelt diese Diode der Versuchsdiode "1959".
Die hier zu sehende Diode ist nur einmal vorhanden und wurde deswegen nicht geöffnet. Das Gehäuse entspricht der Darstellung auf der technischen Zeichnung.
Durch das Glas kann man erkennen, dass auch hier ein Draht einen Halbleiterkristall kontaktiert. Im Vergleich zur ersten Diode scheint der Kontaktbereich auf diesem Kristall etwas höher aufzubauen.
Die dritte Bauform besitzt die gleichen Geometrien wie die zweite Diode, wobei hier nur eine Seite einen zylindrischen Kontakt besitzt.
Die eine Seite hat sich bereits vom Glaselement gelöst. Dort ist sofort der Germaniumkristall mit einem Durchmesser von 0,5mm zu erkennen. Der Kontaktdraht ist auf dem Kristall verblieben.
Der Germaniumkristall ist deutlich zu erkennen. Der Kontaktdraht scheint darauf mit einer Art Lot befestigt worden zu sein.
