Der hier dokumentierte Versuchstransistor stammt aus einem Nachlass von Professor Heinz Beneking, der sich im Thüringer Museum für Elektrotechnik befindet. Professor Beneking war einer der ersten, der in Deutschland Forschung und Lehre im Bereich der Halbleitertechnik betrieben hat. Er war an der RWTH Aachen tätig.
Zu diesem Nachlass gehören außerdem:
Germaniumkristall "Rückschmelze"
OA1123 Telefunken
Silizium-Versuchstransistor
Versuchsdiode "1959" Telefunken
In einem Kunststoffkästchen befinden sich fünf Transistoren. Der aufgeklebte Zettel verrät, dass es sich um npn-Transistoren handelt, die auf Galliumarsenid basieren. Galliumarsenid erlaubt im Vergleich zu Silizium deutlich höhere Schaltfrequenzen.
Die Transistoren sind mit einem Buchstaben und einer oder zwei Zahlen beschriftet. Der Zettel beschreibt für jeden Transistor einen Arbeitspunkt bei 3V und 3mA.
Die Beschriftung scheint händisch aufgebracht worden zu sein.
Im unteren Bereich des Gehäuses liegt ein Bonddraht auf dem Gehäuseboden. Man kann davon ausgehen, dass der Transistor händisch gebondet wurde.
Die Kantenlänge des Dies beträgt ungefähr 0,65mm. Der große untere Kontakt überträgt das Substrat- und damit das Kollektorpotential. In der Mitte des Dies kann man gerade so die Konturen der Basis- und der Emitterfläche erkennen. Im oberen Drittel scheinen Teststrukturen integriert worden zu sein.
