Im D100 sind vier NAND-Gatter mit jeweils zwei Eingängen integriert. Er entspricht dem 7400. Der D100 gehört zur D1** Logik-Familie, die im Halbleiterwerk Frankfurt Oder produziert wurde. Dem obigen Bauteil fehlt die professionelle Beschriftung. Es stammt aus einem sogenannten Bastlerbeutel. Mit den Bastlerbeuteln wurden Bauteile vertrieben, die nicht den Spezifikationen entsprachen, aber grundsätzlich funktionsfähig waren.
Die integrierte Schaltung entspricht dem bekannten Konzept. Der Eingangstransistor verknüpft die beiden Eingangssignale. Darauf folgt ein Treibertransistor, der die zwei Steuersignale für die Endstufe erzeugt. Am Ausgang befindet sich letztlich eine Push-Pull-Endstufe. Der hier dokumentierten 7400 von Texas Instruments, der D200 und der K155LA3 besitzen Schutzdioden an den Eingängen. Im D100 sind diese anfänglich nicht integriert.
Die Abmessungen des Dies betragen 1,5mm x 1,3mm. In drei Ecken befinden sich Strukturen, die höchstwahrscheinlich genutzt wurden, um bei der Herstellung die Masken korrekt auszurichten. Auf dem fertigen Die kann man im Nachgang die Ausrichtung der verschiedenen Schichten überprüfen.
Die einzelnen Schaltungsteile lassen sich gut identifizieren. Der Eingangstransistor T1 besitzt zwei zusätzliche, nicht genutzte Emitterflächen. Man kann folglich davon ausgehen, dass vorgesehen war mit einer anderen Metalllage auch Gatter mit bis zu vier Eingängen darstellen zu können.
Der hier zu sehende D100 wurde im April 1973 gefertigt.
Das Die unterscheidet sich nicht vom ersten D100. Der Farbübergang in der unteren linken Ecke lässt vermuten, dass die Dicke der Siliziumoxidschicht stark inhomogen ist.
Der E100 war wie der SN8400 für einen erweiterten Temperaturbereich von -25°C bis 85°C freigegeben. Die Zahlen I9 stehen für eine Fertigung im September 1977.
Das Die ist grundsätzlich gleich aufgebaut wie die obigen Schaltkreise. In der unteren rechten Ecke kam allerdings eine zusätzliche Hilfsstruktur zum Einsatz, die man bei Schaltkreisen aus dem HFO öfter findet. Außerdem kann man jetzt an den Bondpads die Aussparungen in der Passivierungsschicht erkennen. Beim dem D100 aus dem Baslterbeutel scheint die schützende Passivierungsschicht zu fehlen.
Das Material, das das Die umgibt, zieht sich an einer Stelle bis zu einem Bondpad. Es handelt sich um das Material, mit dem die beiden Gehäuseteile verbunden wurden. Es ist nicht leitend, auch wenn es hier metallisch aussieht.
Bei genauerer Betrachtung findet sich ein Fehler in der Metalllage. An einer Stelle sind beim Ätzen der Metalllage mehrere kleine Metallflächen zurückgeblieben. Besonders problematisch ist die Struktur zwischen den beiden großen Kontakten im linken Bereich. Dort besteht die Gefahr, dass die Versorgungsspannung kurzgeschlossen wird.
Dieser E100 wurde im November 1977 gefertigt.
Am Design des Schaltkreises hat sich nichts geändert.
Der hier zu sehende D100 wurde im Dezember 1978 gefertigt.
Das Design des Dies hat sich nicht geändert, man hat aber ein weiteres Mal die Hilfsstrukturen modifiziert. An der unteren Kante musste bei einem Bondpad ein zweites Mal gebondet werden.
Beim zweiten D100 aus dem Dezember 1978 sind keine neuen Details zu erkennen.
Der hier zu sehende D100 wurde im März 1979 produziert und befindet sich in einem Epoxidgehäuse.
Das Die wurde beim Öffnen des Gehäuses beschädigt. Es ist aber gut zu erkennen, dass die Strukturen nicht weiter modifiziert wurden.
Der hier dokumentierte D100 wurde im Januar 1982 produziert.
Das Die wurde leider stark beschädigt. Es zeigen sich aber dennoch einige interessante Details. Die Anordnung der Schaltungsteile hat sich nicht geändert. Nun besitzt aber jeder Eingang eine Schutzdiode direkt am jeweiligen Bondpad. Die Breite des Dies lässt sich nicht mehr rekonstruieren. Die Höhe scheint der ersten Revision sehr ähnlich zu sein. Die Beschriftung 02D100 zeigt, dass es sich um die zweite Revision des D100 Designs handelt.