Der im Halbleiterwerk Frankfurt Oder produzierte DL003 enthält vier NAND-Gatter mit jeweils zwei Eingängen. Er entspricht funktional dem 74LS03.
S3 steht für eine Fertigung im März 1984. Das Dreieck mit der 1 ist das Gütezeichen, dass das Bauteil qualitativ dem Wettbewerb auf dem Weltmarkt entspricht.
Es zeigt sich, dass das Die dem DL020 stark ähnelt, der zwei NAND-Gatter mit jeweils vier Eingängen bietet. Die beiden Bausteine basieren auf demselben Design. Die Metalllage erzeugt mit den darunter liegenden Elementen die Funktionen verschiedener Logik-Schaltkreise. Passend dazu findet sich an der oberen Kante die Bezeichnung DL003.
Im direkten Vergleich mit dem DL020 zeigen sich abgesehen von der Metalllage drei kleine Unterschiede. Der rot und der gelb markierte Widerstand sind beim DL020 nicht direkt mit Ucc verbunden, so dass man sie variabler einsetzen kann. Auch der grün markierte Widerstand ist beim DL020 nicht direkt mit Ucc verbunden. Er bietet außerdem einen zusätzlichen Abgriff.
Die Schaltung des DL003 ist im Vergleich zum DL020 etwas einfacher, da der Highside-Transistor am Ausgang fehlt. Außerdem fehlt beim DL003 der Widerstand, der im DL020 die Basis-Emitter-Strecke des Transistors Q5 überbrückt und für ein schnelleres Abschalten sorgt.
Der hier zu sehende DL003 wurde im Juni 1986 gefertigt (U6).
Es zeigt sich, dass dieser Baustein bereits auf dem neuen Design basiert, das auch die Grundlage für den DL020 war, der im Januar 1986 produziert wurde. An der rechten Kante wurde die Zahl 04 auf 05 hochgezählt. Höchstwahrscheinlich handelt es sich um die Revision der Metalllage, die ebenfalls angepasst werden musste.
Die Nutzung eines gemeinsamen Grund-Designs, das über die Metalllage verschiedene Gatter erzeugt, sorgt für eine effizientere Produktion, in der weniger Maskensätze benötigt werden.
