Dieser BUX22 von ST Microelectronics scheint neuer zu sein als der aufbereitete BUX22 von 1988, dessen ursprüngliche Beschriftung noch eine alte Formatierung besitzt. Gleichzeitig ist er wahrscheinlich älter als der BUX22 mit dem perforated Emitter, da er noch eine relativ dicke, strukturierte Grundplatte besitzt.
Wie bei den anderen BUX22 kamen auch hier zwei Dies zum Einsatz. Die Bonddrähte sind nicht so ungewöhnlich dick wie im aufbereitete BUX22 von 1988. Dafür hat man hier das Emitterpotentiale mit jeweils zwei Bonddrähten kontaktiert.
Die vier Emitter-Bonddrähte in dem begrenzten Volumen kollisionsfrei zu verlegen und mit dem zugehörigen Anschlusspin zu verbinden ist eine Herausforderung. Um überhaupt alle Drähte verschweißen zu können, hat man sie seitlich am Anschlusspin aufgereiht.
Im Gegensatz zum neueren BUX22 mit dem perforated Emitter kamen hier klassische Transistorstrukturen zum Einsatz.
Der hier zu sehende BUX22 enthält wegen der massiven Grundplatte des Gehäuses keinen zusätzlichen Heatspreader. Wie beim aufbereitete BUX22 von 1988 befinden sich unter den Dies aber Metallplättchen. Die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und Grundplatte erzeugen mechanische Spannungen. Die Metallplättchen können diese Spannungen aufnehmen oder die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten angleichen.
Die Transistoren zeigen auch im Detail keine außergewöhnlichen Strukturen.
Die Basis-Emitter-Strecken brechen wie bei den anderen BUX22 erst relativ spät durch. Hier beträgt die Durchbruchspannung -15V. Der Strom steigt von 10mA auf 100mA auf 500mA auf 1A.
Die Leuchterscheinungen sprechen für eine verhältnismäßig gleichmäßige Stromverteilung zwischen den beiden Transistoren. Auf dem Die tritt das Leuchten zuerst und verstärkt links des Emitterkontaktbereichs auf.
