Der GD241 ist ein Germaniumtransistor mit einer Sperrspannung von 35V (Rbe=50Ω). Er kann bis zu 3A leiten. Der Buchstabe am Ende der Bezeichnung, hier ein A, steht für den Verstärkungsfaktor des Transistors (A: 18-35, B: 28-56, C: 45-90). Die maximale Sperrschichttemperatur gibt das Datenblatt mit 85°C an. Sie ist damit 10°C höher als beim GD180, was ein Grund sein dürfte warum die maximal zulässige Verlustleistung mit 10W doppelt so hoch ist. Die Grenzfrequenz beträgt mindestens 450kHz. Das Zeichen, das auf den Buchstaben A folgt, ist das Logo des Röhrenwerk Neuhaus.
In das Gehäuse wurde eine große weiße Platte eingesetzt, die eventuell anfallende Feuchtigkeit bindet.
Der konstruktive Aufbau des Transistors entspricht dem Aufbau des GD180. Das ist wenig verwunderlich, da dieser GD180 ebenfalls aus dem Röhrenwerk Neuhaus stammt.
In der Übersicht ist bereits zu erkennen, dass sich in diesem Transistor Dendriten gebildet haben, wie sie auch im Tesla GD609 zu finden waren. Im GD609 war das Innere des Gehäuses allerdings stark korrodiert, hier finden sich keinerlei Korrosionsspuren.
Die Dendriten befinden sich vor allem an der vorderen Kante des Elements, dass den Emitter kontaktiert und um den Basisring herum. An der Hülse der Pindurchführung haben sich ebenfalls Dendriten gebildet. Kleinere Teile sind abgebrochen und liegen auf dem Gehäuseboden.
Die fein verästelten Dendriten lassen sich nur schwer fotografisch abbilden. Vor allem bei mehreren Dendriten in unterschiedlichen Schärfeebenen liefert das Fokus-Stacking oftmals kein optimales Bild. Auch mit viel Nacharbeit bleiben noch einige Schwächen. Die Entwicklung in zwei unterschiedliche Schärfenbereiche macht es in diesem Fall etwas einfacher die Dendriten zu erkennen.
Ein Großteil der Dendriten des Emitteranschlusses entspringen der oberen Kante und wachsen horizontal beziehungsweise leicht nach oben. Es haben sich aber auch Dendriten an der unteren Kante gebildet, die sich dem Basisring annähern.
Die größeren Dendriten bilden teilweise recht massive Strukturen. An den Enden besitzen sie aber immer sehr feine Verästelungen. Es bleibt unklar aus welchem Material die Dendriten bestehen.
Teilweise tragen die Spitzen der obersten Dendriten Reste des Trocknungsmittels.
Die Dendriten entstehen nicht nur in Bereichen, die mit Lot überzogen sind. Auch zwischen dem Anschlusspin und dem Emitterkontaktblech finden sich derartige Kristalle.
Auch auf dem Basisring haben sich Dendriten gebildet. Einer von denen, die in Richtung des Emitterkontakts gewachsen sind, trägt an der Spitze eine ungewöhnlich runde Struktur. Es könnte sein, dass sich hier bereits ein Kurzschluss gebildet hatte, der dann aufgeschmolzen ist.
Eine andere Kristallstruktur ist dem Emitterkontakt bereits sehr nahe.
Der Großteil der Dendriten am Basisring strebt zur Grundplatte des Transistors. Hier kann es allerdings sein, dass die Trocknungstablette die Dendriten nach unten gebogen hat.
