Der von Tesla produzierte GD609 ist einer der selteneren Germanium-Leistungstransistoren mit NPN-Aufbau. PNP-Germaniumtransistoren sind auf Grund der einfacheren Herstellung weiter verbreitet. Die Grundlage stellt dabei eine n-dotierte Germaniumscheibe dar. Auf beide Seiten wird dann ein Metall aufgeschmolzen, das ein Stück weit in die Germaniumscheibe eindringt und dort als p-Dotierung fungiert. Bei diesem Vorgang ist es wichtig, dass eine möglichst dünne n-dotierte Basisschicht zurückbleibt. Gleichzeitig dürfen sich die beiden p-Dotierungen aber nicht berühren. Eine dicke Basisschicht verschlechtert die Stromverstärkung, eine Berührung der p-dotierten Bereiche erzeugt einen Kurzschluss zwischen Kollektor und Emitter. Die Elemente, die sich als p-Dotierung in Germanium eignen, diffundieren sehr viel langsamer als die möglichen n-Dotierstoffe. Aus diesem Grund ist es einfacher die p-Dotierung von PNP-Transistoren genau einzustellen als die n-Dotierung von NPN-Transistoren.
Der GD609 sperrt bis zu 16V und leitet bis zu 1A. Die Stromverstärkung liegt zwischen 40 und 360. Die Grenzfrequenz gibt das Datenblatt mit 1MHz an. Bei einer zulässigen Junctiontemperatur von 90°C können bis zu 4W Verlustleistung abgeleitet werden. Der zum GD609 komplementäre Transistor ist der GD619.
Im Inneren des Gehäuses findet sich eine weiße Scheibe, die höchstwahrscheinlich ein Trocknungsmittel darstellt.
Wie beim ASZ16 befinden sich auf den Anschlusspins Abstandshalter, die die Fertigung erleichterten. Das Innere des Gehäuses ist mit einer grünlichen Schicht überzogen. Wahrscheinlich sorgte eine Undichtigkeit dafür, dass Feuchtigkeit eindringen konnte. Kupfersalze erscheinen in dünnen Schichten oft grün, was dazu passen würde.
Am Basiskontaktblech zeigt sich unterschiedliches Kristallwachstum. Die äußerst feinen Nadeln am Basispin sind sogenannte Whisker, die höchstwahrscheinlich aus Zinn bestehen. Zinn neigt unter bestimmten Bedingungen dazu derart dünnen Kristalle auszubilden, die letztlich zu Kurzschlüssen führen können.
Auf der anderen Seite des Basisblechs haben sich kürzere, aber sehr viel dickere Kristalle ausgebildet. Dieses Kristallwachstum könnte durch den Feuchtigkeitseintrag verursacht worden sein.
Der eigentliche Transistor ist mit einem roten Verguss geschützt., der allerdings einen recht unsauberen Eindruck macht.
Entfernt man den Verguss, so zeigt sich ein verhältnismäßig rau erscheinendes Lot. Die Oberfläche könnte sich durch die Korrosionseffekte verändert haben.
Der PNP-Transistor GD619 ist der komplementäre Typ zum GD609. Die meisten der im Datenblatt angegeben Kennwerte sind gleich. Die Grenzfrequenz von 0,6MHz ist gegenüber den 1MHz des GD609 etwas geringer. Das scheint zum Aufbau zu passen, da die Ladungsträgerbeweglichkeit von p-Dotierungen geringer ist als die von n-Dotierungen.
Der innere Aufbau des GD619 gleicht dem GD609. Das Kupfer des Gehäuses ist allerdings an den meisten Stellen noch blank.
Der rote Verguss, der den Transistor schützt, macht beim GD619 einen wesentlich saubereren Eindruck. Unterhalb des Transistors ist allerdings ebenfalls eine grünliche Ablagerung zu erkennen. Anscheinend kam es auch bei diesem Bauteil zu einem Feuchtigkeitseintrag.
Der Emitterbereich des GD619 weist eine ungewöhnliche, eckige Geometrie auf.
