Der GD180 ist ein Germaniumtransistor mit einer Sperrspannung von 60V. Er kann bis zu 3A leiten. Der Buchstabe am Ende der Bezeichnung, hier ein B, steht für den Verstärkungsfaktor des Transistors (A: 18-35, B: 28-56, C: 45-90). Die maximale Sperrschichttemperatur gibt das Datenblatt mit lediglich 75°C an. Die maximale Verlustleistung liegt bei 5,3W. Die Grenzfrequenz beträgt mindestens 250kHz.
In der Bodenplatte befindet sich eine Einbuchtung. Im Inneren bildet sie einen Sockel, auf dem der Transistor platziert ist.
In das Gehäuse wurde eine große weiße Platte eingesetzt, die eventuell anfallende Feuchtigkeit bindet.
Die Kontaktierung des eigentlichen Transistors wurde mit Blechelementen realisiert. Die Verbindung mit den Anschlusspins erfolgt über Winkel. Das Design erinnert an den OC26 von Tesla. Passend zu den auftretenden Strömen ist das Blechelement am Emitter deutlich dicker als das an der Basis.
Die Grundplatte besteht aus Kupfer, was für eine optimale Abfuhr der anfallenden Verlustleistung sorgt.
Grundsätzlich handelt es sich um den üblichen Aufbau eines Germaniumtransistors. Die Oberflächen scheinen mit einem dünnen, klaren Schutzlack überzogen zu sein.
An der vorderen Kante des Emitter-Blechs sind Metall-Späne zu erkennen, die höchstwahrscheinlich beim Öffnen des Gehäuses entstanden sind.
Im Detail fallen zwei Dinge auf. Auf der Emitterseite der Germaniumscheibe befinden sich zwei unterschiedliche Lote. Das untere Lot ist eher gelblich. Üblicherweise enthält dieses Lot Indium und dient so als p-Dotierung. Für die Kontaktierung des Emitterblechs kam ein anderes eher silbernes Lot zum Einsatz.
Auf der Germaniumscheibe unter dem gelblichen Lot ist außerdem etwas zu erkennen, was wie eine dünne Beschichtung aussieht.
Es bleibt unklar was genau hier sichtbar wird.