Der 2N2081 ist ein von Motorola gefertigter, auf Germanium basierender PNP-Leistungstransistor. Der 2N2081 wird im August 1961 in der Zeitschrift electronics (Volume 34 Issue 34) als neu beworben.
Die maximale Sperrspannung des 2N2081 beträgt 45V. Das Datenblatt spezifiziert drei weitere Varianten mit Sperrspannungen zwischen 25V und 65V. Wahrscheinlich wurden die Transistoren nach der Fertigung entsprechend sortiert. Der zulässige Strom liegt bei 15A. Motorola hatte unter anderem mit dem 2N2152 auch eine 30A-Modellreihe im Programm. Das große TO36-Gehäuse ermöglicht es eine nicht unerhebliche Verlustleistung von 170W abzuführen (bei einer Gehäusetemperatur von 25°C). Der 2N2081 erlaubt eine für einen Germaniumtransistor überraschend hohe Junctiontemperatur von 110°C. Als Grenzfrequenz garantiert das Datenblatt nur 5kHz. Wahrscheinlich wurde die Dotierung verhältnismäßig niedrig gewählt. Niedrige Dotierungen führen zu kleinen Leckströmen, wodurch höhere Betriebstemperaturen möglich werden. Gleichzeitig reduziert sich allerdings die Schaltgeschwindigkeit, was die niedrige Grenzfrequenz erklären würde.
Das TO36-Gehäuse besitzt auf der Rückseite ein Gewinde, mit dem es an einem Kühlkörper verschraubt werden kann. Die Anschlusspins sind sehr massiv ausgeführt und mit Lötösen ausgestattet. Der kurze Metallstift ermöglicht die eindeutige Identifikation von Basis und Emitter und verhindert, dass sich der Transistor beim Festschrauben auf einem Kühlkörper verdreht. Der Kunststoffzylinder isoliert den Pin vom Kühlkörper.
Ähnlich wie beim AD148 befindet sich der eigentliche Transistor auf der Grundplatte, während im AU103 die Transistorstruktur in die Grundplatte eingelassen wurde. Trotz der massiveren Anbindung des AU103-Transistors kann der vorliegende 2N2081 auf Grund seiner höheren Maximaltemperatur mehr Verlustleistung abführen (~45W gegenüber 10W bei 85°C Umgebungstemperatur). Die Germaniumscheibe weist inklusive ihrer Einfassung einen Durchmesser von nicht ganz 10mm auf.
Wie beim AU103 ist der Basisbereich doppelt kontaktiert, was die Zuführungswiderstände zum aktiven Bereich reduziert. Innerhalb der Basisfläche befindet sich ein ringförmiger Emitter, der über einen Legierungsprozess eingebracht wurde. Eine ringförmige Kontaktelektrode sorgt für die elektrische Anbindung des Emitters. Der Kollektor befindet sich unterhalb der Konstruktion und ist nicht sichtbar.
Die Germaniumscheibe, die den grundlegenden Basisbereich darstellt, ist wie beim AD148 in einen Metallring eingefasst. Der Ring, der innere Kontakt und die Anbindung an den Basis-Pin wurden aus einem Blechteil gefertigt.
