Der 2N2152 ist ein von Motorola gefertigter Leistungs-PNP-Transistor. Während der 2N2081 und seine Sortierungen auf 15A ausgelegt sind, kann der 2N2152 bis zu 30A leiten. Auch hier kam ein TO-36-Gehäuse zum Einsatz, das hohe Verlustleistungen abführen kann. Der 2N2152 bietet eine Sperrspannung von 30V. Im Datenblatt sind zwei weitere Sortierungen mit Sperrspannungen von 45V und 60V aufgeführt. Die Grenzfrequenz liegt mit mindestens 2kHz im Vergleich zu den mindestens 5kHz des 2N2081 merklich niedriger.
Die Lötösen dieses Transistors scheinen abgetrennt worden zu sein.
Im Gehäuse des Transistors befindet sich ein eine kleine Menge weißes Pulver, mit Sicherheit ein Trocknungsmittel.
Der Transistor selbst ist sehr ähnlich aufgebaut wie der Transistor im 2N2081. Ein Metallring umfasst eine n-dotierte Germaniumscheibe, die auf beiden Seiten mit einem Material legiert ist, das einen p-dotierten Bereich ausbildet. Der Kollektorbereich ist massiv mit dem Gehäuse verbunden, um die Verlustleistung des Transistors möglichst optimal abzuführen. Von oben kontaktiert eine ringförmige Elektrode großflächig den Emitterbereich.
Der Durchmesser der Germaniumscheibe unterscheidet sich nicht vom 2N2081, allerdings fehlt hier die zweite Basisanbindung, die beim 2N2081 zusätzlich die Mitte der Scheibe kontaktiert. Das passt zu den elektrischen Spezifikationen des Transistors. Ohne die zweite Basisanbindung fällt die Emitterfläche sehr viel größer aus, was die höhere Stromtragfähigkeit erklärt. Gleichzeitig erhöht sich allerdings die Impedanz im Basispfad, was die Schaltgeschwindigkeit und damit die Grenzfrequenz reduziert.
Das Kontaktelement des Emitters ist deutlich dicker ausgeführt als beim 2N2081, so dass die maximal zulässigen 30A möglichst verlustfrei übertragen werden.