Der WCH CH32V002 ist dem CH32V003 sehr ähnlich. Das Datenblatt garantiert eine Pin- und Funktionskompatibilität. Er bietet mit 4kB doppelt so viel SRAM. Auch den Speicher für den Bootloader hat man merklich vergrößert. Die Versorgungsspannungsbereich ist mit 2V bis 5V noch etwas breiter. Dazu kommt eine Touch- und eine LIN-Schnittstelle. Die Auflösung des ADCs wurde von 10Bit auf 12Bit und die Abtastfrequenz von 1,7MS auf 3MS erhöht. Der Integrierte Operationsverstärker/Komparator-Block ist dafür entfallen.
Im Gehäuse findet sich ein Die mit den Abmessungen 1,1mm x 0,8mm. Es ist damit deutlich kleiner als das Die des CH32V003. Die oberste Metalllage ist verhältnismäßig dick. Sie dient dazu die Potentiale niederohmig zu verteilen. 25 Bondpads wurden kontaktiert, wobei 3 Bondpads offensichtlich das gleiche Potential tragen. Das Die bietet parallel dazu noch sehr viel mehr Bondpads, die teilweise mit Testnadeln kontaktiert wurden und teilweise das gleiche Potential führen. Manche Bondpads sind so breit, dass sie mit mehreren Bonddrähten kontaktiert werden könnten. Wahrscheinlich ist auch vorgesehen über ein weiteres Die einen zusätzlichen Speicher anzubinden.
Unter der obersten Metalllage kann man einige Funktionsblöcke anhand ihrer Strukturen erkennen. Im oberen Bereich sind unregelmäßige Schaltungsteile mit sehr unterschiedlichen Größen integriert. Dort befindet sich höchstwahrscheinlich der ADC. Im linken Bereich hat man chaotische aber oberflächlich doch gleichmäßige Strukturen platziert, die für komplexe Logikschaltungen typisch sind. Im rechten sehr gleichmäßig strukturierten Bereich befindet sich vermutlich der integrierte Speicher.
Dieses Bild ist auch in einer höheren Auflösung verfügbar: 63MB
Dieses Bild vermittelt ein Gefühl für den Integrationsgrad einer solchen Schaltung. Das Die ist mit 1,1mm x 0,8mm bereits sehr klein. Das rote Detail-Bild zeigt nun beispielsweise drei Leitungen, die jeweils ungefähr 250nm breit sind. In der Übersicht kann man diese Leitungen kaum erkennen. Die drei Leitungen kontaktieren weitere Leitungen in einer tieferen Metalllage, die noch dünner sind. Die aktiven Strukturen in der untersten Ebene des ICs sind noch einmal deutlich kleiner.
