Der im Halbleiterwerk Frankfurt Oder produzierte DS8205 ist ein sogenannter 1 aus 8 Binärdecoder. Über drei Eingänge kann einer von acht Ausgängen aktiviert werden. Der DS8205 entspricht funktional dem Intel P8205 und dem 74S138.
Die Zeichenfolge T8 steht für eine Fertigung im August 1985.
Das Datenblatt des DS8205 zeigt den relativ einfachen Aufbau. Die Eingangssignale werden zu differentiellen Steuersignalen aufbereitet. An jedem Ausgang ist ein Vierfach-NAND-Gatter an die notwendigen Steuerleitungen angebunden.
Das Die des DS8205 ist 1,9mm x 1,2mm groß. Darauf sind die für das HFO bekannten Hilfsstrukturen zu finden. Rechts oben befinden sich die Zahlen 03, die die Revision des Designs anzeigen. Die Zahlen darunter scheinen einen Bezug zu den verwendeten Masken zu haben. An der unteren Kante sind in der Frässtraße die Überreste der Kreuze zu erkennen, die es ermöglichen die Ausrichtung der Masken untereinander zu prüfen. Oben links ist die Bezeichnung 8205 abgebildet.
Oben rechts befinden sich die Bondpads der Eingänge. Die Ausgangs-Bondpads sind mit großen Push-Pull-Transistoren ausgestattet. Im rechten Bereich sind die langen NAND-Gatter integriert. Die vertikalen Transistoren, die eine horizontale Leitung kontaktieren, stellen einen Eingang des jeweiligen NAND-Gatters dar.
Der hier vorliegende DS8205 wurde im November 1985 gefertigt (TN).
Oben rechts zeigt sich, dass die Revision auf 04 inkrementiert wurde. Sichtbare Unterschiede zur Revision 03 finden sich allerdings nicht. Ein im Februar 1998 hergestellter DS8205 enthält ebenfalls die Revision 04.
Der hier zu sehende DS8205 wurde im September 1989 gefertigt (X9). Er enthält die Revision 05 wie auch ein DS8205 mit dem Datecode X3 (März 1989).
Die Revision 05 zeigt ebenfalls keine funktionalen Unterschiede zu den Revisionen 03 und 04. Die Kontaktbereiche von der Metalllage zum Silizium scheinen allerdings etwas größer ausgeführt zu sein.
Es ist denkbar, dass die alten Masken das Ende ihrer Lebensdauer erreicht hatten oder der Herstellungsprozess des Bausteins sich leicht verändert hat und deswegen neue Masken erstellt wurden.
Im Detail kann man erkennen, dass hier Schottky-Transistoren zum Einsatz kamen, wie sie im Rahmen des DL020 genauer beschrieben sind. Der Basiskontakt ist dabei breiter als die Basisfläche und kontaktiert so gleichzeitig die Kollektorfläche (grün). An der Schnittstelle zwischen Metall und Kollektordotierung entsteht eine Schottky-Diode. Die leistungsfähigeren Transistoren besitzen in der Basisleitung neben dem Kontakt zur Basisfläche einen zusätzlichen Kontakt zur Kollektorfläche (rot).
