Richi´s Lab

GigaDevice GD32V

GD32VF103CBT6

Als Nachfolger des GD32, der wie der STM32 auf einem ARM Cortex-M3 basiert, vertreibt der chinesische Hersteller GigaDevice Semiconductor mittlerweile auch die GD32V-Reihe, die einen RISC-V-Kern enthält. Hier ist die Modellvariante GD32VF103CBT6 zu sehen.

 

GD32VF103CBT6 Die

GD32VF103CBT6 Die

Das Die ist deutlich anders aufgebaut als das Die des GD32. Aber auch hier befindet sich der Flash-Speicher auf einem eigenen Die.

 

GD32VF103CBT6 Flash Die

Der verwendete Flash-Speicher ähnelt stark dem Speichermodul im GD32. Es sind aber auch klare Unterschiede zu erkennen. Die Steuerungslogik besitzt hier sechs zusätzliche Bond- oder Testpads und die Fläche des Speicherbereichs hat sich fast halbiert. Entweder befand sich im GD32 mehr Speicher als letztlich dem Nutzer zur Verfügung gestellt wurde oder die Speichertechnologie wurde verbessert. Am wahrscheinlichsten erscheint es, dass im GD32 mehr Speicher verbaut wurde. Entweder waren die verwendeten Speicher zu dem Zeitpunkt gerade günstig verfügbar oder man wollte einen einheitlichen Mikrocontroller, der sich dann per Programmierung zum gewünschten Modell mit der jeweiligen Speichergröße transformieren lässt.

 

GD32VF103CBT6 Flash Die Detail

In der oberne linken Ecke des Dies sind unter der obersten Metalllage gerade noch einige Buchstaben zu erkennen. Die Zeichenfolge erinnert an "CHICAGO".

 

GD32VF103CBT6 Die Detail

Die Logik ist äußerst massiv an das Versorgungspotential angebunden. Die oberste, hier gelblich dargestellte Metalllage führt von oben das eine Potential und von unten das andere Potential zu. Die Zuleitungen greifen ineinander und kontaktieren mehrfach die darunter liegende, rötliche Metallage. Es ist gut zu erkennen wie dort innerhalb von Viererblöcken die Versorgungspotentiale sich abwechseln und darunter Fünferblöcke im Ganzen abwechselnd das eine oder das andere Potential transportieren.

 

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