Diese MAA550 trägt den Datecode W5. Sie wurde folglich im Mai 1988 hergestellt. Es fällt auf, dass auch die drei MAA550 der Variante 1 im Mai gefertigt wurden.
Die Bondverbindung mit dem Pin erscheint nicht besonders stabil.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 0,49mm. Ein Unterschied zu den MAA550 der Variante 1 und zur TAA550 fällt sofort auf: Hier befinden sich die Transistoren in abgetrennten Bereichen. Das lässt vermuten, dass hier ein gewöhnlicher Bipolarprozess zum Einsatz kam. Das würde widerum bedeuten, dass das Substrat p-dotiert ist, die dunkelgrünen Flächen n-dotierte Kollektorflächen sind und die hellgrünen Abgrenzungen mit einer p-Dotierung die Kollektorflächen gegeneinander isolieren.
Da in der MAA550 aber weiterhin das positive Potential mit dem Substrat verbunden ist, bleiben die einzelnen Bereich nicht vollständig isoliert. Über die Sperrschicht kann weiterhin Strom vom positiven Versorgungspotential zu den aktiven Elementen fließen. Die Sperrschicht wirkt dort lediglich wie eine Diode.
Die erste Variante der MAA550 ist genauso aufgebaut wie die TAA550. Die hier zu sehende zweite Variante unterscheidet sich nicht nur beim grundsätzlichen Aufbau, es wurde auch die Schaltung vereinfacht. Die drei Dioden und ihre parallelgeschalteten Widerstände fehlen hier.
Das P-Potential ist über das Gehäuse mit dem Substrat verbunden. An der oberen Kante ist der Widerstand R1 mit der Rahmenstruktur verbunden. Das bedeutet, dass der Rahmen mit dem P-Potential verbunden sein muss. Innerhalb des Rahmens sind keine Strukturen zu erkennen. Vermutlich kontaktiert der Rahmen im Randbereich sowohl die n-dotierten Kollektorflächen als auch die p-dotierten Isolationsrahmen und damit das Substrat. Das ist sinnvoll, da sich ansonsten in allen Kollektorpfaden Diodenstrecken befinden würden. Die Funktion würden diese Dioden aber wahrscheinlich nicht beeinflussen.
Der Transistor T1 ist deutlich zu erkennen. D1, D3 und D5 sind weitere Transistoren, die allerdings invers betrieben werden und so als Z-Dioden dienen. T2 ist wieder als normaler Transistor verschaltet und treibt den größeren Transistor T3, der drei Emitterbereiche besitzt.
Anscheinend hat man sich dafür entschieden den notwendigen negativen Temperaturkoeffizienten alleine über den Vbe-Multiplier und die Endstufe darzustellen. Passend dazu zeigen die Geometrien der Widerstände R1 und R2, dass ihre Werte anders gewählt wurden, als im Schaltplan dargestellt. Das Verhältnis beträgt hier bis zu 31/6 statt nur 20/8. Damit ergibt sich ein negativer Temperaturkoeffizient von bis zu -12,3mV/K, mit den Darlington-Transistoren -16,3mV/K.
Geht man bei den Z-Dioden von denselben Temperaturkoeffizienten aus wie bei der TAA550 (13,2-19,5mV/K), dann sollte der Kompensationsbereich des Vbe Multipliers ausreichen.
Die Transistoren, die als Z-Dioden im Lawinendurchbruch arbeiten, zeigen im Gegensatz zu den anderen Transistoren den bekannten Leuchteffekt.
Begrenzt man den Stromfluss nicht ausreichend, so kann man den Leistungstransistor leicht zerstören.
