Richi´s Lab

КР537РУ1 - KR537RU1

KR537RU1

Der КP537РУ1 (KR537RU1) ist ein SRAM mit einer Speichertiefe von 1kBit. Neben dem Keramikgehäuse war auch eine Variante im Kunststoffgehäuse verfügbar, deren Bezeichnung КM537РУ1 (KM537RU1) lautet.

Der Hersteller lässt sich nicht klären, was oft der Fall ist bei Halbleitern aus dem sowjetischen Raum. Weit verbreitete Typen wurden meist von mehreren Herstellern produziert. Der Datecode zeigt, dass der Baustein aus dem Jahr 1988 stammt.

 

KR537RU1 Die

Die Abmessungen des Dies betragen 3,9mm x 3,0mm. Die Architektur ähnelt der Architektur des KM537RU1, im Detail sind die beiden Speicher aber sehr unterschiedlich. Das spricht dafür, dass es sich hier um einen anderen Hersteller handelt.

Das Bild des Dies ist auch in einer höheren Auflösung verfügbar: 66MB

 

KR537RU1 Die Detail

In der oberen linken Ecke ist der Aufbau des DRAMs abgebildet. 1024 Speicherzellen werden über eine Datenleitung beschrieben und ausgelesen.

 

KR537RU1 Die Masken Teststruktur

An der oberen Kante des Dies sind neun Masken abgebildet. Außerdem ist dort eine komplexere Teststruktur integriert. Es wird sich noch zeigen, dass es sich hierbei um eine einzelne Speicherzelle handelt.

 

KR537RU1 Die Teststruktur

An der rechten Kante des Dies findet sich eine weitere Speicherzelle als Teststruktur.

 

KR537RU1 Die Teststruktur

An der unteren Kante lassen sich über einige Testpads einfache Strukturen vermessen.

 

KR537RU1 Die Aufbau

Auf dem Die finden sich Großteils die gleichen Funktionsböcke wie sie auch im KM537RU1 integriert sind. Hier hat man jeweils zwei Eingangspuffer der Adressleitungen zusammengefasst. Die Pullup-Struktur der Zeilenauswertung (rot) befindet sich nicht mehr an der linken, sondern an der rechten Kante der Speicherfläche. An der oberen Kante findet man zwischen den Versorgungspotentialen eine Schutzstruktur, die im KM537RU1 nicht vorhanden ist.

 

KR537RU1 Die Speicherzellen

KR537RU1 Die Speicherzellen

Der Speicherbereich ist auf den ersten Blick etwas unübersichtlich, man kann die einzelnen Speicherzellen aber abgrenzen.

 

KR537RU1 Die Speicherzellen Aufbau

Im KR537RU1 kommen die üblichen 6T-Speicherzellen mit sechs Transistoren zum Einsatz. Die Farben (grün und rot) zeigen wo NMOS- und wo PMOS-Transistoren integriert sind. Die Geometrien der Transistoren unterscheiden sich deutlich von denen im KM537RU1. Außerdem erfolgt hier die Verteilung des GND-Potentials nur einseitig.

 

zurück
oder unterstützt mich über Patreon
Creative Commons Lizenzvertrag