Der p-Kanal Leistungs-MOSFET IRFD9120 ist im Rahmen des Siliconix IRFD9120 genauer beschrieben. Das hier vorliegende Modell stammt von Motorola.
Die Abmessungen des Dies betragen 3,0mm x 2,4mm. Motorola nutzte eine Technologie, die als TMOS bezeichnet wurde. Die in den Datenbüchern abgebildeten Strukturen sind die gleichen, die auch Siliconix für seine MOSPOWER Transistoren dokumentiert hat.
Direkt im Bondbereich des Gatepotentials und am Ende der Stichleitungen befinden sich ungewöhnliche Strukturen. Es scheint sich um Kontakte von der Source-Metallfläche zum Gatepotential zu handeln. Direkte Kontakte wären nicht sinnvoll. Außerdem besitzen die Strukturen eine Kante mehr als die Stichleitungen des Gatepotentials. Am wahrscheinlichsten scheint, dass es sich um Schutzdioden handelt. Das Datenblatt erwähnt allerdings keine Schutzdioden.
