Der Siliconix IRFD9120 ist ein p-Kanal Leistungs-MOSFET in einem DIP-4 Gehäuse. Der IRFD9120 sperrt bis zu 100V. Die Stromtragfähigkeit beträgt 1A dauerhaft und 8A kurzzeitig. Der typische Widerstand liegt im Bereich von 0,6Ω. Bei Raumtemperatur lässt sich 1W über das Gehäuse abführen. Das Datenblatt spezifiziert parallel einen IRFD9123 mit etwas schlechteren Kennwerten (60V, 0,8A, 6,4A, 0,8Ω). Wahrscheinlich handelt es sich um zwei Sortierungen.
Im Gehäuse findet sich ein Die mit den Abmessungen 2,8mm x 2,3mm. Das Gate-Potential wird durch drei Stichleitungen niederohmig über die Oberfläche verteilt.
Der Siliconix IRFD9120 ist ein sogenannter MOSPOWER Transistor. Im MOSPOWER Databook zeigt Siliconix den typischen Aufbau eines solchen MOSFETs, wobei es sich in der Abbildung um einen n-Kanal MOSFET handelt.
Das MOSPOWER Databook enthält auch die obige Darstellung. Man kann deutlich die rechteckigen Kontakte erkennen. Die Rechtecke bilden sich in der Metalllage dieser Transistoren ab: IRF640, IRFD120, IRFD9020
Die Kontakte in der Metalllage des vorliegenden IRFD9120 sind dagegen rund, jeweils umgeben von einer hexagonalen Struktur. Es muss sich um einen International Rectifier HEXFET der dritten Generation handeln. Deren Design ist im Rahmen des IRC540 (IRCZ34) genauer dokumentiert. Im ersten Moment könnte man meinen, dass es sich um ein gefälschtes Bauteil handelt, HEXFET-Transistoren wurden aber öfter in Siliconix-Bauteilen eingesetzt. Vishay, die Muttergesellschaft von Siliconix, hat dafür einen entsprechenden Geschäftsteil von International Rectifier aufgekauft.
Das "HEXFET Power MOSFET Designer´s Manual" von International Rectifier verrät, dass es sich um die Größe HEX-2 handelt.
