Der IRF640 ist ein von Siliconix entwickelter Leistungs-MOSFET, der mittlerweile von Vishay übernommen wurde. Die Sperrspannung beträgt 200V. Der typische Widerstand wird mit 0,18Ω angegeben, was bei Raumtemperatur einen dauerhaften Strom von 18A erlaubt. Der Spitzenstrom liegt bei 72A.
Das im Package enthaltene Die ist mit den Abmessungen 5,8mm x 4,3mm relativ groß.
Das Gatepotential wird über drei dünne Leitungen niederohmig auf der aktiven Fläche verteilt. Die weitere Verteilung erfolgt unter der Source-Metallisierung über das Silizium.
Wie üblich bei Leistungs-MOSFETs besteht der IRF640 aus vielen kleinen Transistoren. Man kann erahnen, dass das Gatepotential horizontal und vertikal in den aktiven Bereich geführt wird.
Im Gegensatz zum BUK446-1000B (Sperrspannung 1000V) konnte beim IRF640 (Sperrspannung 200V) die Fläche bis in die Ecken mit Transistoren ausgefüllt werden. Durch die niedrigere Sperrspannung ergeben sich entsprechend geringere elektrische Feldstärken, die sich leichter beherrschen lassen. Außerdem konnte die Isolationsstrecke um den aktiven Bereich dünner ausgeführt werden. Ringstrukturen zur Potentialsteuerung wurden aber auch hier integriert.
