Der BUK446 ist ein von Philips entwickelter Leistungs-MOSFET. Während der BUK446-800 eine Spannungsfestigkeit von 800V bietet, kann der hier vorliegende BUK446-1000 bis zu 1000V sperren. Das B am Ende der Bezeichnung markiert die Transistoren, die einen dauerhaften Strom von 1,5 erlauben (6A Spitzenstrom). Teile mit einem A können 1,7A tragen (6,8A Spitzenstrom). Der Drain-Source-Widerstand zeigt sich ähnlich: Typischerweise 4,5Ω im Fall der B-Variante gegenüber 3,5Ω im Fall der A-Variante.
Das isolierte Gehäuse vereinfacht die Einhaltung der notwendigen Isolationsstrecken, verschlechtert aber den Wärmewiderstand zum Kühlkörper, den das Datenblatt mit 4,16K/W angibt. Entsprechend liegt die maximal zulässige Verlustleistung bei nur 30W.
Die Abmessungen des Dies betragen 4,6mm x 4,5mm. Es zeigt sich der typische Aufbau eines Leistungs-MOSFETs, der aus vielen kleinen Transistoren besteht. Das Gate-Potential wird über drei Stichleitungen auf dem Die verteilt. Eine große Bondfläche erleichtert das Anbinden des Source-Potentials.
Bei der Platzierung der einzelnen Transistoren wurden die Ecken ausgespart, da spitze Kanten zu hohen elektrischen Feldstärken führen, die sich nur schwer beherrschen lassen. Wie üblich bei Transistoren mit hohen Sperrspannungen, befindet sich um den aktiven Bereich ein relativ breiter Isolationsstreifen, der zur Potentialsteuerung mehrere Ringe enthält. So fällt das Potential relativ gleichmäßig ab und es bilden sich keine Zonen mit hohen elektrischen Feldern, die zu Teilentladungen und letztlich zum Durchschlag der Isolationsstrecke führen können.
