Der p-Kanal Leistungs-MOSFET IRFD9120 ist im Rahmen des Siliconix IRFD9120 genauer beschrieben. Das hier vorliegende Modell stammt von International Rectifier.
Die Abmessungen des Dies betragen 2,9mm x 2,4mm. Das Gate-Potential wird durch drei Stichleitungen niederohmig über die Oberfläche verteilt. Die Geometrien stimmen exakt mit der HEX-2 Variante der dritten HEXFET-Generation überein.
An den Kanten findet sich das Copyright und der Jahrgang 1987. Außerdem sind einige Masken abgebildet.
