Der Nexperia PMPB19 ist ein p-Kanal-MOSFET mit einer Sperrspannung von 20V und einer Stromtragfähigkeit von 11A. Der Widerstand ist mit typischerweise 17mΩ spezifiziert. Der Gehäusetyp wird als DFN2020M-6 beziehungsweise SOT1220-2 bezeichnet. Die Abmessungen betragen nur 2,6mm x 2,3mm. An den Kontakten sind die Abdrücke von Testspitzen zu erkennen.
Der PMPB19 enthält eine Schutzstruktur zwischen Gate und Source.
Die Abmessungen des Dies betragen 1,6mm x 1,0mm. Es ist damit größer als der große Kontakt des Gehäuses über den die Verlustleistung abführt. Auf der großen Sourcefläche sind die Abdrücke von sieben Nadelkontakten zu sehen. Offensichtlich wurde der MOSFET mit einem hohem Laststrom getestet. Im Package wird der Sourcestrom über drei Bonddrähte übertragen.
In der Ecke, in der sich das Gate-Bondpad befindet, hat man eine kleine quadratische Aussparung in die Sourcefläche eingebracht. Entweder soll diese Maßnahme thermomechanischen Stress reduzieren oder es bestand die Gefahr, dass bei der Strukturierung der dicken Metallschicht in der Ecke ein Kurzschluss entsteht.
Um die Strukturen des MOSFETs sichtbar zu machen, kann man versuchen die Metallisierung abzutragen. Nach einer halben Stunde in Salzsäure hat sich die Oberfläche des PMPB19 merklich verändert. An manchen Stellen meint man eine nun schwebende Schutzschicht erkennen zu können, wie sie auch beim BUX42 nach der Auflösung der Metallisierung zurückblieb. Ansonsten sind keine weiteren Details zu erkennen. Die orange Schicht ist wahrscheinlich eine Pufferschicht, die sich in Salzsäure nicht auflöst. Oftmals kommt dabei Wolfram oder Titan zum Einsatz. Verwunderlich ist, dass die Bondkontakte auf dem Die verblieben sind und auch bei einer Reinigung nicht abfallen. Sie scheinen mit den tieferen Schichten verschweißt zu sein.
Die auf der Sourcefläche verbliebene Schicht löst sich auch nach einer halbstündigen Behandlung mit Flusssäure nicht auf. Lediglich das Bondpad des Gatepotentials hat sich aufgelöst. Ein Punkt in dieser Fläche zeigt wie tief der Wirkbereich des Bondvorgangs reicht.
Eine weitere Behandlung mit Flusssäure über 45min ändert nichts mehr an der optischen Erscheinung. Es bleibt auch weiterhin offen wie der MOSFET aufgebaut ist und wo sich die Schutzstrukturen des Gates befinden.
