Der International Rectifier IRF1010NSPbF ist ein HEXFET-MOSFET. Mit dem N kennzeichnet International Rectifier Bausteine, die bereits einmal aktualisiert wurden, also auf einer neueren MOSFET-Generation basieren. S steht für das D2PAK-Gehäuse und PbF zeigt an, dass der Baustein bleifrei ist.
Die Spannungsfestigkeit beträgt 55V. Bei Raumtemperatur ist ein dauerhafter Drainstrom von 85A zulässig. Als Spitzenstrom sind 290A spezifiziert. Der typische Widerstand wird mit 11mΩ angegeben. Über das Gehäuse lassen sich bis zu 180W abführen.
Im Gehäuse des IRF1010N findet sich ein Die mit einer Kantenlänge von 4,1mm x 3,0mm. Offenbar handelt es sich um die gleiche Technologie, die auch beim IRF3708 zum Einsatz kam. Die groben Strukturen zur Verteilung von Gate- und Sourcepotential sind genauso ausgeführt wie beim IRF3708 und soweit erkennbar gleichen sich auch die MOSFET-Strukturen selbst. An der unteren Kante ist das Copyright mit dem Jahr 2000 fixiert. An der oberen Kante sind Masken abgebildet. An allen Kanten markieren fünf Striche die Mitte. All dies ist auch im IRF3708 zu finden.
