Der hier vorliegende Transistor wurde 2022 über Reichelt bezogen. Eine oberflächliche Vermessung zeigt, dass der MOSFET in gewissen Arbeitspunkten den Spezifikationen des IRF3708 entspricht. Die Drain-Source-Durchbruchspannung liegt bei 35V. Bei 4A Drainstrom und einer Gate-Source-Spannung von 2,8V beträgt der Kanalwiderstand 12mΩ. Die Gate-Source-Kapazität liegt bei 2,88nF.
Das Datenblatt enthält eine Zeichnung, die zeigt wie die Beschriftung des IRF3708 aussehen sollte. Demnach sollten die vier Zeichen des Lot-Codes in der untersten Zeile als Paare rechts und links des Transistors angeordnet sein. Das ist beim hier vorliegenden Transistor nicht der Fall. Eine solche Auffälligkeit kann auf eine Fälschung hindeuten, gleichzeitig muss man aber anerkennen, dass die Zeichenfolgen ansonsten plausibel sind und das Datenblatt wahrscheinlich nicht aktualisiert wird, falls im Laufe der Produktion die Zeichen minimal verschoben werden.
Die Oberfläche und die Beschriftung sehen relativ sauber aus. Auffällig ist allerdings das International Rectifier Logo. Die zylindrische Ausbuchtung am oberen Ende des Kreises gehört eigentlich nicht dazu. Derartige Abweichungen sind ebenfalls oft ein Hinweis, dass es sich um eine Fälschung handeln könnte. Dieses modifizierte Logo findet sich allerdings auf vielen Bauteilen von International Recitifier.
Die Oberfläche des Transistors sieht auch im Detail sehr sauber aus. Es sind keine Schleifspuren zu erkennen. Die Beschriftung ist nicht perfekt ausgeführt. An einigen Stellen scheint das Gehäusematerial etwas verbrannt zu sein.
Im Gehäuse findet sich ein Die mit den Abmessungen 3,6mm x 2,0mm. Die obere Metalllage kontaktieren zwei Bonddrähte. Es sind noch die Abdrücke von Testnadeln zu erkennen. Das Gate-Potential wird mit je einer Leitung an der oberen und unteren Kante über das Die verteilt.
An der unteren Kante des Dies befinden sich die Reste einer Beschriftung. "I.R.CORP." verrät, dass es sich tatsächlich um einen MOSFET von International Rectifier handelt. Dasselbe Kürzel findet sich im IGBT IRG4PH40K. Das Design stammt offensichtlich aus dem Jahr 2000.
Wie beim IRG4PH40K sind an der oberen Kante Maskenbezeichnungen abgebildet, die aber keinen Rückschluss auf den Transistor-Typ zulassen.
Die obere Metalllage ist relativ dick. Auf der Oberfläche der Source-Fläche sind gerade noch vertikale Strukturen zu erkennen.
Entfernt man die Metalllage, so tritt die Struktur der einzelnen MOSFETs stärker hervor. Die hellen Streifen sind ungefähr 3µm breit und halten einen Abstand von ungefähr 1µm.
Der IRF3708 wird als HEXFET bezeichnet. Das "International Rectifier HEXFET Databook" zeigt die Wabenstruktur eines solchen HEXFETs. Die HEXFETs wurden allerdings nur anfänglich mit dieser Struktur gefertigt. Der IRLZ44N ist ein Vertreter dieser Generation. Im Jahr 1999 hat International Rectifier eine "planar stripe HEXFET" Generation eingeführt. Der IRF3708 basiert wahrscheinlich bereits auf dieser Technologie und besitzt deswegen keine Wabenstruktur.
International Rectifier wurde mittlerweile von Infineon übernommen. Auf Nachfrage erhält man von Infineon die Rückmeldung, dass das vorliegende Bauteil nicht von Infineon stammt. In diesem Fall bedeutet das aber trotzdem noch nicht, dass es sich um eine Fälschung handelt. Dieser MOSFET-Typ wird nicht mehr produziert und Infineon ist nur die Nachfolge-Firma von International Rectifier. Es ist gut möglich, dass genauere Informationen zu diesem Transistor nur noch in den Archiven zu finden sind. Außerdem steckt hinter der Anfrage kein Großabnehmer. In diesem Fall ist es einfacher und sicherer einen Transistor als Fälschung zu deklarieren, auch wenn man sich nicht sicher ist.
Die drei IRF3708-Gruppen #5, #6 und #7 stammen aus unterschiedlichen Quellen, tragen teilweise ein ähnliches IR-Logo und besitzen das gleiche Die wie beim hier vorliegenden IRF3708. Trotz der Auffälligkeiten scheint es damit insgesamt wahrscheinlicher, dass es sich um ein Originalteil handelt.
