Richi´s Lab

International Rectifier IRF3708 Fälschung 1

IRF3708 Fälschung

Der International Rectifier IRF3708 bietet eine Sperrspannung von 30V und leitet dauerhaft bis zu 62A bei einem Rdson von 12mΩ. Kurzzeitig sind bis zu 248A möglich. Eine Gate-Source-Spannung von 4,5V ist bereits ausreichend, um den MOSFET fast vollständig einzuschalten.

 

IRF3708 Reichelt Bestellung

Der IRF3708 ist ein sehr bekannter Leistungs-MOSFET, der als Logic-Level-MOSFET gerne von Bastlern verwendet wird. Mittlerweile wird der IRF3708 allerdings nicht mehr produziert. Entsprechend schwierig ist es noch Original-Teile zu bekommen. Der hier vorliegende Transistor wurde 2022 von Reichelt bezogen.

 

IRF3708 Datenblatt

Das Datenblatt enthält eine Zeichnung, die aufzeigt, wie die Beschriftung des IRF3708 aussehen sollte.

 

IRF3708 Fälschung

IRF3708 Fälschung Beschriftung

Die Beschriftung des vorliegenden IRF3708 weist gegenüber der Zeichnung im Datenblatt zwei deutliche Abweichungen auf. Die Zeichen in der untersten Zeile sind nicht paarweise links und rechts, sondern gemeinsam mittig abgebildet. Besonders auffällig ist allerdings das International Rectifier Logo. Oberflächlich betrachtet ist es gut gelungen, bei genauerer Betrachtung fällt aber eine zylindrische Ausbuchtung am oberen Ende des Kreises auf, die das originale Logo nicht besitzt.

Die Einkerbungen in der Kühlfahne sind weniger ausgeprägt als in der Zeichnung im Datenblatt abgebildet. Sie sind aber dort auch nicht näher spezifiziert.

 

IRF3708 Fälschung Beschriftung Detail

Schleifspuren sind auf der Oberfläche nicht zu erkennen.

Im Detail betrachtet wirkt die Laserbeschriftung unsauber. An einigen Stellen scheint das Gehäusematerial verbrannt zu sein.

 

IRF3708 Fälschung Aufbau

IRF3708 Fälschung Die

IRF3708 Fälschung Die

Im Gehäuse findet sich ein Die mit den Abmessungen 3,6mm x 2,0mm. Die obere Metalllage kontaktieren zwei Bonddrähte. Es sind noch die Abdrücke von Testnadeln zu erkennen. Das Gate-Potential wird mit je einer Leitung an der oberen und unteren Kante über das Die verteilt.

 

IRF3708 Fälschung Die Detail

An der unteren Kante des Dies befinden sich die Reste einer Beschriftung. "I.R.CORP." verrät, dass es sich tatsächlich um einen MOSFET von International Rectifier handelt. Dasselbe Kürzel findet sich im IGBT IRG4PH40K. Fraglich bleibt, ob es sich um einen IRF3708 handelt. Das Design stammt offensichtlich aus dem Jahr 2000.

 

IRF3708 Fälschung Die Detail

Wie beim IRG4PH40K sind an der oberen Kante Maskenbezeichnungen abgebildet, die aber keinen Rückschluss auf den Transistor-Typ zulassen.

 

IRF3708 Fälschung Die Detail

Die obere Metalllage ist relativ dick. Auf der Oberfläche der Source-Fläche sind gerade noch vertikale Strukturen zu erkennen.

 

IRF3708 Fälschung Die Detail

Entfernt man mit Salzsäure die Metalllage, so tritt die Struktur der einzelnen MOSFETs stärker hervor. Die hellen Streifen sind ungefähr 3µm breit und halten einen Abstand von ungefähr 1µm. Die hellen Bereiche kontaktieren die Source-Flächen. In den dunklen Bereichen befinden sich die Gate-Strukturen.

 

International Rectifier HEXFET Databook

Das "International Rectifier HEXFET Databook" zeigt, dass ein HEXFET wie der IRF3708 eine Wabenstruktur aufweisen sollte. Die streifenförmige Struktur, die man beim vorliegenden Transistor erkennen kann, spricht folglich nicht dafür, dass es sich um ein Originalteil handelt. Es sei denn International Rectifier fertigt mittlerweile die als HEXFETs bezeichneten MOSFETs mit einer anderen Technologie.

Eine kurze, grobe Vermessung des vorliegenden MOSFETs zeigt, dass er in gewissen Arbeitspunkten durchaus den Spezifikationen des IRF3708 entspricht. Die Drain-Source-Durchbruchspannung liegt bei 35V. Bei 4A Drainstrom und einer Gate-Source-Spannung von 2,8V beträgt der Kanalwiderstand nur noch 12mΩ und die Gate-Source-Kapazität liegt bei 2,88nF.

 

IRF3708 Fälschung Infineon Rückmeldung

International Rectifier wurde mittlerweile von Infineon übernommen. Auf Nachfrage bestätigt Infineon, dass es sich beim vorliegenden Bauteil um eine Fälschung handelt. Man könnte nun anführen, dass der Transistor grundsätzlich die Spezifikationen eines IRF3708 einhält. Das ist allerdings noch bedenklicher als eine Fälschung, die man sofort als eine solche erkennt. Niemand kann sagen welche Vorgeschichte der Transistor hatte, in welchen Betriebsbereichen er vielleicht anders reagiert als ein IRF3708 und mit welcher Lebensdauer man rechnen darf.

 

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