Richi´s Lab

Funkwerk Erfurt SMY51

SMY51

Der SMY50, der SMY51 und der SMY52 sind die ersten im Funkwerk Erfurt (FWE) produzierten p-Kanal-MOS-Transistoren. Der SMY51 enthält zwei Transistor. Die maximale Sperrspannung beträgt 31V, der maximale Drainstrom liegt bei 10mA. Das R steht für eine Produktion im Jahr 1973.

 

SMY51 Schaltbild

Neben den zwei MOSFETs enthält der SMY51 auch zwei Z-Dioden, die die Gate-Source-Strecken vor zu hohen Spannungen schützen. Das Substratpotential ist mit dem Source-Potential des zweiten MOSFETs verbunden.

 

SMY51 Die

Das im Package enthaltene Die ist mit einem Gelverguss geschützt.

 

SMY51 Die

SMY51 Die

Das Die hat eine Kantenlänge von 0,8mm. Um den Umfang sind einige, verschieden aufgebaute Quadrate angeordnet. Diese Strukturen ermöglichen es den Fertigungsprozess zu überwachen. Die korrekte Ausrichtung der Masken wird darüber ersichtlich und wahrscheinlich konnte auch der Fortschritt einzelner Bearbeitungsschritte beobachtet werden (Ätzmarker).

Die Source- und die Drain-Flächen greifen kammförmig ineinander. Eine darüber liegende Metallfläche stellt das Gate dar. Um das Gate ist teilweise eine rechteckige Struktur zu erkennen, in der die isolierende Oxidschicht dünner ausgeführt ist. Das dünnere Gateoxid sorgt für eine sinnvolle Thresholdspannung. Der Aufbau erinnert stark an die pMOS-Transistoren im Tachenrechner-Controller U821.

An der unteren Kante sind die Anbindungen der zwei Z-Dioden zu erkennen. Da die Streifen der Metalllage nicht direkt die Metallfläche des Gate-Anschlusses kontaktieren, kann man davon ausgehen, dass sich die Z-Diode am oberen Ende des Metallstreifens ausbildet. Das untere Ende dient dann lediglich als Kontakt zum Substrat.

Eine Kontaktierung zwischen dem Sourceanschluss 2 und dem Substrat ist nicht zu erkennen. Vielleicht wurde diese Verbindung über das Trägerblech des Dies realisiert.

 

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