Das SMD-Marking S2 steht für die Kapazitätsdiode BBY40. Der Hersteller lässt sich nicht erkennen. Die obige Darstellung der Verschaltung stammt aus einem Datenblatt von NXP.
Eine Kapazitätsdiode, auch Varactor-Diode oder Varicap genannt, ist oberflächlich betrachtet wie eine normale Diode aus einem p- und einem n-dotierten Bereich aufgebaut. Wo p- und n-Dotierung aufeinandertreffen, entsteht eine Sperrschicht, eine Schicht in der sich keine freien Ladungsträger mehr befinden. Legt man eine Spannung in Flussrichtung an, so reduzuiert sich die Schicht und der Strom steigt exponentiell. Legt man eine Spannung in Sperrrichtung an, so vergrößert sich der Bereich, der keine freien Ladungsträger enthält und es kann kein Strom durch die Diode fließen.
Eine im ersten Moment parasitäre Eigenschaft ist die Kapazität der pn-Grenzfläche. Erhöht man die Sperrspannung und verbreitert damit den Sperrbereich, so reduziert sich die Kapazität. Dieses Verhalten nutzt man in einer Kapazitätsdiode aus. So kann man zum Beispiel Schwingkreise abstimmen, indem man eine Kapazitätsdiode integriert und daran unterschiedliche Sperrspannung anlegt. Will man diese Steuerspannung von der restlichen Schaltung isolieren, so kann man der Kapazitätsdiode eine weitere Kapazität in Serie schalten.
Grundsätzlich könnte man jede beliebige Diode als steuerbare Kapazität verwenden. Bei Kapazitätsdioden wird die Verteilung der Dotierung aber derart optimiert, dass sich für diese spezielle Anwendung möglichst ideale Eigenschaften ergeben. Ein wichtiges Kriterium ist dabei zum Beispiel ein großer Kapazitätsbereich. Ein geringer Widerstand ist außerdem hilfreich bei der Integration in einen Schwingkreis, damit man eine hohe Güte erreichen kann.
Das NXP-Datenblatt enthält auch ein Diagramm, dass den einstellbaren Kapazitätsbereich zeigt.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 0,40mm. Wie zu erwarten war, sind die Strukturen eher unspektakulär, wobei der äußere Rahmen mehr Kanten zu haben scheint als zum Beispiel die einfache Diode BAV45. Es könnte sein, dass sich hier zusätzliche Schichten abzeichnen, die die Verteilung der p- und n-Dotierungen optimieren.
Obwohl die Diode symmetrisch aufgebaut hätte werden können, sind drei Ecken gestuft und eine rund ausgeführt.
