Der П609A (P609A) von ALFA ist wie der P605A ein auf Germanium basierender, diffusionslegierter MESA-Transistor. Mit einem Fertigungsdatum aus dem Jahr 1986 ist das hier vorliegende Modell ein ganzes Stück jünger.
Die Grenzfrequenz des P609A liegt im Bereich von 100MHz. Die Spannungsfestigkeit gibt das Datenblatt mit 35V an (Kollektor-Basis). Der Verstärkungsfaktor beträgt typischerweise 150. Dauerhaft kann der P609A einen Kollektorstrom von 0,3A tragen, kurzzeitig sind 0,6A zulässig. Die Verlustleistung stellt das Datenblatt abhängig von der anliegenden Kollektor-Emitter-Spannung dar. Bei 20V können 1,5W abgeführt werden. Bei 30V können bereits 0,5W zu problematischen Leckströmen führen. Ab einer Umgebungstemperatur von 40°C sinken die Leistungsgrenzen weiter.
Wie beim P605A ist auch hier das Die mit einer silikonartigen Vergussmasse geschützt.
Der Verguss lässt sich mit Silikonentferner anlösen. Die Überreste kann man mit Isopropanol ausspülen.
Die Verbindungen zwischen den Anschlusspins und dem Die sind wie beim P605A ausgeführt. Das Basispotential (rechts) wird über vier Bonddrähte zugeführt. Der Emitteranschluss besitzt zwei Bonddrähte.
Die Abmessungen des Dies betragen 2,1mm x 1,6mm. Es ist damit deutlich kleiner als das Die des P605A (4,0mm x 2,5mm). Der aktive Bereich ist mit 1,2mm x 0,7mm ebenfalls deutlich kleiner als beim P605A (2,5mm x 1,2mm). Das erklärt auch die höhere Grenzfrequenz (100MHz gegenüber 30MHz), da die parasitären Kapazitäten kleiner sind (Basis-Kollektor-Kapazität: 21pF gegenüber 70pF).
Hier wurde der MESA-Bereich eindeutig durch einen Ätzprozess erzeugt.
Die Strukturen der Basis- und Emitterkontakte unterscheiden sich, weil sie mit unterschiedlichen Legierungen aufgebaut wurden. Details dazu finden sich im Rahmen des 2N1561.