Der П605A (P605A) des lettischen Herstellers ALFA ist ein Germanium-Leistungstransistor, der für einen Betrieb bis 30MHz ausgelegt ist. Der Datecode verweist auf eine Produktion im Januar 1967.
Die Spannungsfestigkeit beträgt typischerweise 45V (Kollektor-Basis). Die A-Variante ist die bessere Sortierung des P605. Den maximalen Verstärkungsfaktor von ungefähr 85 gibt das Datenblatt bei einem Kollektorstrom von 0,4A an. Der Spitzenstrom darf kurzzeitig auf 1,5A ansteigen. Mit einem Kühlkörper, der einen Wärmewiderstand kleiner 5°K/W bietet können bis zu 3W Verlustleistung abgeführt werden. Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur liegt bei 85°C.
Das Die wird mit einem Verguss geschützt, der an Silikon erinnert.
Der Verguss lässt sich leider auch mit Silikonlöser nicht vollständig entfernen.
Die Pins sind über verhältnismäßig viele Bonddrähte mit dem Die verbunden. Der Bonddraht des Emitters (links) wird vom Pin zum Die geführt und von dort wieder zurück zum Pin. Das Basispotential wird wie beim AU103 und beim GT906 zweimal angebunden. Auch hier führen die Bonddrähte vom Pin zum Die und wieder zurück.
Das komplette Die ist 4,0mm x 2,5mm groß. Die aktive Fläche im Inneren beträgt 2,5mm x 1,2mm. Jeder der zwei Basis-Bonddrähte ist zweimal mit dem Die verbunden. Der Emitter-Bonddraht kontaktiert das Die nur einmal in der Mitte.
Es handelt sich um einen sogenannten diffusionslegierten MESA-Transistor. Im Rahmen des 2N1561 ist der Aufbau eines solchen Transistors genauer beschrieben. Während sich der Emitterbereich nur im Inneren des Dies befinden, erstrecken sich die Basis-Kontaktbereiche über die ganze Breite des Dies.
Die an der Oberfläche ungefähr 100µm breiten MESA-Gräben sorgen dafür, dass die äußeren Kanten der Basis-Kollektor-Grenzfläche möglichst wenig Störstellen aufweisen. Störstellen würden den Leckstrom erhöhen und darüber die Spannungsfestigkeit reduzieren. Bei einem Transistor, der für hohe Frequenzen eingesetzt werden soll, hat die MESA-Struktur eine weitere wichtige Funktion. Sie reduziert die Basis-Kollektor-Fläche und damit die Basis-Kollektor-Kapazität.
Während beim 2N1561 die MESA-Struktur offensichtlich in das Die geätzt wurde, scheint sie hier geschnitten worden zu sein. Dafür spricht, dass die Quer- und Längsgräben unterschiedlich tief sind. Gleichzeitig zeigen aber alle Oberflächen die typischen Strukturen, die bei einem Ätzprozess entstehen. Es könnte sein, dass die Gräben zuerst geschnitten wurden und danach das ganze Die noch einmal einen Ätzprozess durchlief, mit dem die Oberfläche gereinigt und von Störstellen befreit wurde.
